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碳化硅橫向場效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用

名稱碳化硅橫向場效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用公開號1339173公開日2002.03.06主分類號H01L21/335

日期 2010-12-24   

人造金剛石壓機(jī)用的晶體頂錘

名稱人造金剛石壓機(jī)用的晶體頂錘公開號2215345公開日1995.12.20主分類號B01J3/06

日期 2010-12-24   

射頻功率碳化硅場效應(yīng)晶體管的互連方法和器件

名稱射頻功率碳化硅場效應(yīng)晶體管的互連方法和器件公開號1359535公開日2002.07.17主分類號H01L21/6

日期 2010-12-24   

高溫應(yīng)用碳化硅場效應(yīng)晶體管及其使用和制造方法

名稱高溫應(yīng)用碳化硅場效應(yīng)晶體管及其使用和制造方法公開號1347570公開日2002.05.01主分類號H01L29/

日期 2010-12-24   

半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體

名稱半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管公開號1309816公開日2001.08.22主分類號H01L29/778&

日期 2010-12-23   

用作電源開關(guān)的碳化硅N溝場效應(yīng)晶體管及其制造方法

名稱用作電源開關(guān)的碳化硅N溝場效應(yīng)晶體管及其制造方法公開號1297258公開日2001.05.30主分類號H01L2

日期 2010-12-23   

無色碳化硅晶體的生長

名稱無色碳化硅晶體的生長公開號1210565公開日1999.03.10主分類號C30B23/00

日期 2010-12-23   

用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體

名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B

日期 2010-12-23   

用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法

名稱用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法公開號1050949公開日1991.04.24主分類號H01L21/205&nbs

日期 2010-12-22   

采用類金剛石修飾人工晶體的方法

名稱采用類金剛石修飾人工晶體的方法公開號1340637公開日2002.03.20主分類號C30B29/04 

日期 2010-12-16   

常溫金剛石晶體膜及其生成方法

名稱常溫金剛石晶體膜及其生成方法公開號1389593公開日2003.01.08主分類號C23C16/27

日期 2010-12-16   

何謂“連聚晶體”?

凡是兩個(gè)以上共同晶面或晶棱及若干非完整晶體連生者為連晶體,許多微小晶粒無規(guī)則聚合叢生存在一起為聚晶體。

日期 2010-12-15   

在液體表面生長金剛石晶體的方法

名稱在液體表面生長金剛石晶體的方法公開號1215766公開日1999.05.05主分類號C30B29/04 

日期 2010-12-10   

一種寶石級立方金剛石晶體的連續(xù)生長方法

名稱一種寶石級立方金剛石晶體的連續(xù)生長方法公開號1085611公開日1994.04.20主分類號C30B29/04&

日期 2010-12-09   

激光窗口材料氯化鉀晶體類金剛石防潮保護(hù)膜

名稱激光窗口材料氯化鉀晶體類金剛石防潮保護(hù)膜公開號1066332公開日1992.11.18主分類號G02B1/02&

日期 2010-12-09   

低壓粘結(jié)金剛石聚晶體及其制造方法

名稱低壓粘結(jié)金剛石聚晶體及其制造方法公開號1032509公開日1989.04.26主分類號B23P5/00 

日期 2010-12-09   

天然金剛石晶體的激光定向方法

名稱天然金剛石晶體的激光定向方法公開號87102712公開日1988.04.06主分類號G10N21/87

日期 2010-12-09   

安裝多晶體金剛石切削坯塊的缺口托柱

名稱安裝多晶體金剛石切削坯塊的缺口托柱公開號87102255公開日1987.10.07主分類號E21B10/46&nbs

日期 2010-12-09   

德研制出較強(qiáng)延展性非晶體金屬材料

德國萊布尼茨固態(tài)與材料研究所15日發(fā)表公報(bào)說,該所研究人員成功改造了一種非晶體金屬材料,使其既保持了原本的優(yōu)點(diǎn),又具有較強(qiáng)的可延展性。金屬通常是晶體。如果使金屬熔體在瞬...

日期 2010-06-18   

晶體組織受控生長的CVD α-Al2O3涂層的沉積、顯微結(jié)構(gòu)和特性

本文研究了晶核形成對CVDAl2O3顯微結(jié)構(gòu)和涂層性能的影響。實(shí)驗(yàn)用α-Al2O3涂層分別按以下條件沉積:①未采用成核控制;②采用成核控制并獲得了明確的(1...

日期 2008-02-20   
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