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官方微信摘要 名稱高溫應用碳化硅場效應晶體管及其使用和制造方法公開號1347570公開日2002.05.01主分類號H01L29/
| 名稱 | 高溫應用碳化硅場效應晶體管及其使用和制造方法 | ||
| 公開號 | 1347570 | 公開日 | 2002.05.01 |
| 主分類號 | H01L29/78 | 分類號 | H01L29/78;H01L29/24;H01L21/336 |
| 申請號 | 00806545.4 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2000.04.20 | |
| 頒證日 | 優先權 | 1999.4.22__SE_9901440－9 | |
| 申請人 | 阿克里奧股份公司 | 地址 | 瑞典基斯塔 |
| 發明人 | 安德瑞·康斯坦特諾夫;克里斯托弗·哈里斯;蘇珊·薩維 | 國際申請 | PCT/SE00/00773 2000.4.20 |
| 國際公布 | WO00/65660 英 2000.11.2 | 進入國家日期 | 2001.10.22 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 王永剛 |
| 摘要 | 用于高溫應用的SiC場效應晶體管具有與其中設置了柵極(12)的前表面(14)垂直分開的源區層(4)、漏區層(5)和溝道區層(6、7)，在晶體管工作時用于減小所述前表面的電場，在作為氣體傳感器工作情況下，容許除了柵極以外的所有電極被保護而不暴露于氣氛。 | ||
豫公網安備41019702003646號