| 名稱 | 碳化硅晶體生長的方法和裝置 | ||
| 公開號 | 1384892 | 公開日 | 2002.12.11 |
| 主分類號 | C30B25/00 | 分類號 | C30B25/00;C30B23/00;C30B29/36 |
| 申請號 | 00814001.4 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2000.10.05 | |
| 頒證日 | 優先權 | 1999.10.8 US 09/415,402 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發明人 | O·C·E·科迪那;M·J·帕斯雷 | 國際申請 | PCT/US00/41076 2000.10.5 |
| 國際公布 | WO01/27361 英 2001.4.19 | 進入國家日期 | 2002.04.08 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 王杰 |
| 摘要 | 本發明公開了一種所需的多型高質量碳化硅芯棒可控的、長期的并可重復的生長的方法和裝置，其采用涂有一薄層金屬碳化物的石墨坩堝，并且碳化物從下列這組材料中選取：鉭、鉿、鈮、鈦、鋯、鎢和釩的碳化物。 | ||
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