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官方微信摘要 名稱碳化硅橫向場效應晶體管和制造方法及其使用公開號1339173公開日2002.03.06主分類號H01L21/335
| 名稱 | 碳化硅橫向場效應晶體管和制造方法及其使用 | ||
| 公開號 | 1339173 | 公開日 | 2002.03.06 |
| 主分類號 | H01L21/335 | 分類號 | H01L21/335;H01L29/772;H01L29/24 |
| 申請號 | 00803404.4 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2000.02.01 | |
| 頒證日 | 優先權 | 1999.2.3___SE_9900358－4 | |
| 申請人 | 阿克里奧股份公司 | 地址 | 瑞典基斯塔 |
| 發明人 | 克里斯托弗·哈里;安德雷·康斯坦丁歐夫 | 國際申請 | PCT/SE00/00192 2000.2.1 |
| 國際公布 | WO00/46850 英 2000.8.10 | 進入國家日期 | 2001.08.02 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 王永剛 |
| 摘要 | 一種用于高開關頻率的碳化硅橫向場效應晶體管，它包含橫向分隔開的重摻雜n型源區層(5) 和漏區層(6)、橫向延伸并將源區層與漏區層互連以便在晶體管處于接通態時使電流在這些層之間傳導的 n型溝道層(4)、以及安排來通過改變施加到柵電極的電位而控制溝道層成為導電或截止的柵電極(9)。重摻雜p型基極層(12)被排列在溝道層緊鄰，至少 部分覆蓋柵電極且橫向離漏區層一定距離。基極層被短路到源區層。 | ||
豫公網安備41019702003646號