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日本:多家企業大舉進軍8英寸鍵合碳化硅襯底

日本:多家企業大舉進軍8英寸鍵合碳化硅襯底

鍵合碳化硅襯底即指通過在低電阻多晶SiC支撐襯底上鍵合一層高質量的單晶SiC薄層,這些產品能夠在保持單晶SiC特...

日期 2024-10-14   

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能
日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能
日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能

12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通實驗室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

日期 2017-12-22   

從芯片結構分析硅襯底PK藍寶石襯底的勝負

從芯片結構分析硅襯底PK藍寶石襯底的勝負
從芯片結構分析硅襯底PK藍寶石襯底的勝負
從芯片結構分析硅襯底PK藍寶石襯底的勝負

基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片結構強烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍寶石作為襯底材料,芯片結構主要分為4類,如圖1所示:正裝芯片結構這類芯片廣泛被中低功率...

日期 2016-02-22   

硅襯底LED研發紀實

一哄而上又遇經濟下滑,剛剛過去的2015年,曾經風光無限的LED行業一如前兩年般慘烈。一年間,LED企業數量減少了20%,約4000家企業退出市場。然而,接二連三的&l...

日期 2016-01-21   

藍寶石襯底VS硅襯底 誰能走的更遠?

目前,藍寶石雖然穩坐襯底材料的龍頭地位,但隨著產業的不斷發展,競爭日趨激烈,基于藍寶石襯底的技術發展變緩,再加上其成本高昂、專利壁壘等問題,眾多專家與工程師開始尋求性價...

日期 2015-06-01   

發力硅襯底LED制造技術:四大優勢 三點方法

2015年2月12日,美國國際貿易委員會(ITC)投票決定正式對部分LED產品及其同類組件啟動337調查,涉案產品包括LED燈泡以及LED芯片等。一時間業界嘩然,LED...

日期 2015-05-30   
東芝:2017年硅襯底或成為市場主流

東芝:2017年硅襯底或成為市場主流

藍寶石雖然目前仍然穩坐襯底材料龍頭,但隨著LED產業的不斷發展,基于藍寶石襯底的技術發展變緩,再加上其成本高昂、...

日期 2015-04-24   
硅襯底胎死腹中 藍寶石主流地位不動搖

硅襯底胎死腹中 藍寶石主流地位不動搖

曾有一段時間,硅曾被業內人士認為是極具市場前景的氮化鎵基LED襯底材料,吸引了不少投資者的瘋狂涌入。國際LED大...

日期 2014-01-08   

硅襯底瀕臨流產 代替藍寶石遙遙無期

從當初的信誓旦旦到如今的集體迷茫,硅襯底的產業化道路仍然充滿不確定性,良率、光效以及成本等依舊是當下亟待解決的問題。曾有一段時間,硅曾被業內人士認為是極具市場前景的氮化...

日期 2013-09-03   

碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件

名稱碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件公開號1278949公開日2001.01.03主分類號H0

日期 2010-12-23   

硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體

名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B

日期 2010-12-23   

碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件

名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件公開號1237272公開日1999.12.01主分類號H01

日期 2010-12-23   

硅襯底上適于鍵合技術的金剛石膜制備工藝

名稱硅襯底上適于鍵合技術的金剛石膜制備工藝公開號1272557公開日2000.11.08主分類號C23C16/27&

日期 2010-12-15   

下游擴張推動藍寶石襯底需求持續走高 爭奪碳化硅襯底市場

據統計,由于大量LED廠商不斷向上游進軍,對MOCVD設備的需求急劇擴大,2011年僅亞太地區的設備采購量就有望突破1000臺,通過傳導作用,全球市場對LED藍寶石襯底...

日期 2010-11-26   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

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