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官方微信摘要 名稱用作電源開關的碳化硅N溝場效應晶體管及其制造方法公開號1297258公開日2001.05.30主分類號H01L2
| 名稱 | 用作電源開關的碳化硅N溝場效應晶體管及其制造方法 | ||
| 公開號 | 1297258 | 公開日 | 2001.05.30 |
| 主分類號 | H01L29/786 | 分類號 | H01L29/786 |
| 申請號 | 00130957.9 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2000.11.22 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 朗迅科技公司 | 地址 | 1999.11.23 US 09/448,856 |
| 發明人 | 譚健;阿施拉夫·瓦吉赫·洛特菲 | 國際申請 | 美國新澤西州 |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 王永剛 |
| 摘要 | 一種形成在半導體晶片的襯底之上的橫向金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、一種制造它的方法和組裝了MOSFET的半導體器件及其制造方法。在一個實施例中，MOSFET包括位于襯底之上或之內的碳化硅層，柵極形成于碳化硅層之上。MOSFET還包括位于碳化硅層中并且與該柵極接觸的源區和漏區，碳化硅層提高了 MOSFET的擊穿電壓。 | ||
豫公網安備41019702003646號