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在液體表面生長金剛石晶體的方法

關鍵詞液體表面生長 , 金剛石晶體 , 方法 |2010-12-10 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱在液體表面生長金剛石晶體的方法公開號1215766公開日1999.05.05主分類號C30B29/04

名稱	在液體表面生長金剛石晶體的方法
公開號	1215766	公開日	1999.05.05
主分類號	C30B29/04	分類號	C30B29/04
申請號	97119937.X
分案原申請號		申請日	1997.10.29
頒證日		優先權
申請人	方寶賢	地址	650091云南省昆明市121大街天君殿巷9幢501號
發明人	方寶賢	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	云南省專利事務所	代理人	張怡
摘要	本發明涉及到晶體生長，尤其是金剛石晶體的生長方法。本發明所述方法是用碳源在可防止氧化的氣體里，在金屬液態襯底表面上生長金剛石晶體。在本申請中，作為襯底的金屬是與碳沒有反應、不形成合金的，如Ge、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ等，也可以是它們的合金。本申請中，形成剛晶的溫度范圍為４００—１５００℃。用液態襯底的特點是改善目前生長金剛石晶體的結果而制造大單晶金剛石，特別做電子材料及光學材料。

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