熟妇性MATURETUBE另类,午夜av亚洲一码二中文字幕网址,国产99久久亚洲综合精品

半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管

關鍵詞氮化物 , 晶體管 |2010-12-23 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管公開號1309816公開日2001.08.22主分類號H01L29/778&

名稱	半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管
公開號	1309816	公開日	2001.08.22
主分類號	H01L29/778	分類號	H01L29/778
申請號	99808532.4
分案原申請號		申請日	1999.06.02
頒證日		優先權	1998.6.12 US 09/096,967
申請人	克里公司	地址	美國北卡羅萊納
發明人	斯科特·T·謝帕德;斯科特·T·阿倫;約翰·W·帕爾莫	國際申請	PCT/US99/12287 1999.6.2
國際公布	WO00/04587 英 2000.1.27	進入國家日期	2001.01.11
專利代理機構	中國國際貿易促進委員會專利商標事務所	代理人	王以平
摘要	一種高電子遷移率晶體管(HEMT)(10)包括一個半絕緣碳化基底(11)，在基底上是氮化鋁緩沖層(12)，在緩沖層上面是絕緣的氮化鎵層(13)，氮化鎵層上是活性氮化鋁鎵結構(14)，其上是鈍化層 (23)，和至氮化鋁鎵結構的源、漏極和柵接點(21，22，23)。

① 凡本網注明"來源：超硬材料網"的所有作品，均為河南遠發信息技術有限公司合法擁有版權或有權使用的作品，未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的，應在授權范圍內使用，并注明"來源：超硬材料網"。違反上述聲明者，本網將追究其相關法律責任。

② 凡本網注明"來源：XXX（非超硬材料網）"的作品，均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責。

③ 如因作品內容、版權和其它問題需要同本網聯系的，請在30日內進行。

※ 聯系電話：0371-67667020