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天岳先進申請金剛石用研磨液及金剛石襯底的研磨方法專利,能夠實現對金剛石襯底的均勻且高效研磨

2024年6月13日消息,天眼查知識產權信息顯示,山東天岳先進科技股份有限公司申請一項名為“一種金剛石用研磨液及金剛石襯底的研磨方法“,公開號CN20241057902...

日期 2024-06-24   

中兵紅箭:已開發出適用于金剛石半導體器件研究的襯底材料

e公司訊,中兵紅箭5月17日在互動平臺表示,公司目前已開發出適用于高校院所進行金剛石半導體器件研究的襯底材料,在金剛石半導體材料的尺寸、成本等方面尚未達到產業化推廣的門...

日期 2024-05-21   

西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產

西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產
西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產
西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產

近日,由西安交通大學王宏興教授領銜的創業團隊在單晶金剛石襯底技術產業化上取得了重大進展和突破。該團隊采用一種基于微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術實現了2英寸異...

日期 2024-01-09   
單晶金剛石第四代半導體襯底及其裝備研制項目獲批湖南省重點研發計劃

單晶金剛石第四代半導體襯底及其裝備研制項目獲批湖南省重點研發計劃

近日,湖南省科技廳正式發布了“關于2023年度湖南省重點研發計劃立項項目”清單,共231項。其中,“單晶金剛石第...

日期 2023-08-04   

哈爾濱工業大學:Ir襯底上金剛石半導體異質外延生長技術與機理研究進展

推薦語:瞄準金剛石晶圓制備這一制約其應用的技術難題,從形核與生長基本理論出發,通過闡述金剛石形核裝置、工藝窗口、形核現象、織構生長、位錯控制等關鍵技術細節,對Ir襯底上...

日期 2023-02-02   

西安交大創業團隊在單晶金剛石襯底技術產業化上取得重大進展

近日,由西安交通大學王宏興教授團隊領銜的“德盟特半導體”創業團隊在單晶金剛石襯底技術產業化上取得了重大進展和突破。作為秦創原總窗口入駐企業,其在研的技術產品主要面向第四...

日期 2022-10-24   
哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

7月26日,第二十三屆中國專利獎評選結果揭曉,哈爾濱工業大學斬獲一金一銀(全國專利金獎30項、專利銀獎60項),...

日期 2022-08-08   

日本先進工業科學與技術研究院:拼接法單晶金剛石襯底上HFCVD硼摻雜外延層的水平和垂直方向均勻性研究

金剛石因優異的物理、電子性能而在功率電子器件和量子技術領域里表現出誘人的應用前景。想要實現這些應用,需要表面平整、內部沒有嚴重晶體缺陷的本體材料和缺陷數量可控的高質量外...

日期 2022-06-07   
黃河旋風“大尺寸藍寶石襯底片切割專用金剛石線鋸”項目獲省科技廳鑒定

黃河旋風“大尺寸藍寶石襯底片切割專用金剛石線鋸”項目獲省科技廳鑒定

9月21日,黃河旋風“大尺寸藍寶石襯底片切割專用金剛石線鋸”項目,在前期評審的基礎上,獲得了河南省科技廳頒發的“...

日期 2020-09-24   

盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程

盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程
盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程
盤點金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進程

2006年,美國Cree公司的Wu等人研制的GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT),4GHz時的輸出功率密度達到41.4W/mm。近十多年來,氮化鎵(GaN)的研究熱潮...

日期 2019-08-29   

【成果推介】2 英寸級單晶金剛石襯底及其關鍵設備的產業化

【成果推介】2 英寸級單晶金剛石襯底及其關鍵設備的產業化
【成果推介】2 英寸級單晶金剛石襯底及其關鍵設備的產業化
【成果推介】2 英寸級單晶金剛石襯底及其關鍵設備的產業化

1.項目簡介金剛石單晶集電學、光學、力學和熱學等優異特性于一體,在高溫、高頻、高效大功率電子器件、生物傳感器、日盲紫外和粒子閃爍體探測與成像、光電器件、航空航天和武器系...

日期 2019-05-27   
一種帶金屬襯底的金剛石磨塊

一種帶金屬襯底的金剛石磨塊

申請號:201720775041.7申請日:2017.06.29申請人:福建省泉州市華鉆金剛石工具有限公司發明人...

日期 2018-02-07   

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能
日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能
日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能

12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通實驗室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

日期 2017-12-22   

我國研制成功半導體金剛石襯底材料

近日,由中國科學院半導體研究所和中國科學院大學共同承擔的北京市科技計劃課題“5mm×5mm半導體金剛石襯底材料研制”通過驗收。金剛石是超寬禁帶半導體材料,具有載流子遷移...

日期 2017-11-27   
一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長的方法

一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長的方法

申請號:201710322318.5申請人:中國電子科技集團公司第四十六研究所發明人:齊成軍陳建麗張嵩王再恩王軍...

日期 2017-08-28   

納米金剛石薄膜制備用襯底預處理方法

申請號:201710080946.7申請人:上海大學發明人:王林軍趙申潔黃健任兵唐可摘要:本發明公開了一種納米金剛石薄膜制備用襯底預處理方法,利用縮水甘油的開環多分支聚...

日期 2017-06-30   

離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬

離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬
離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬
離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬

摘要:本研究利用離子束輔助氣相沉積法(IBAD)對曲面襯底上沉積出的立方氮化硼(CBN)薄膜厚度分布進行模擬。沉積參數條件如下:(i)硼到達率為3.2?/s,(ii)離...

日期 2017-06-01   
一種金剛石熱沉襯底GaNHEMTs制備方法

一種金剛石熱沉襯底GaNHEMTs制備方法

申請號:201611084413.8申請人:陜西科技大學發明人:王進軍摘要:本發明公開了一種金剛石熱沉襯底GaN...

日期 2017-03-29   
LED藍寶石襯底盈利低 手機屏幕成為企業新的“主戰場”

LED藍寶石襯底盈利低 手機屏幕成為企業新的“主戰場”

藍寶石和大猩猩玻璃都認為手機屏幕是兵家必爭之地,它不僅意味著增長的營收、高毛利、高頻次消費帶來的消費黏性,更事關...

日期 2017-02-28   

藍寶石前世今生:主戰場由LED襯底轉至手機屏幕

在這場博弈背后,藍寶石企業、手機玻璃生產商、手機企業紛紛卷入其中,“屏”之戰雖未全面打響,但時有小規模“地區沖突”,手機...

日期 2016-10-11   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

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