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寧波晶鉆科技取得用于金剛石生長的襯底專利,拼接縫小的生長表面

金融界2025年6月7日消息,國家知識產權局信息顯示,寧波晶鉆科技股份有限公司取得一項名為“一種用于金剛石生長的襯底”的專利,授權公告號CN222948520U,申請日...

日期 2025-06-09   
金剛石襯底:為5G和衛星通信打造“不發燒”的氮化鎵芯片

金剛石襯底:為5G和衛星通信打造“不發燒”的氮化鎵芯片

近日,住友電氣工業株式會社(以下簡稱“住友電工”)與大阪公立大學(以下簡稱“OMU”)在日本科學技術振興機構(J...

日期 2025-06-05   

2英寸多晶金剛石襯底GaN HEMT問世,通信核心器件迎來高功率低功耗新時代

2英寸多晶金剛石襯底GaN HEMT問世,通信核心器件迎來高功率低功耗新時代
2英寸多晶金剛石襯底GaN HEMT問世,通信核心器件迎來高功率低功耗新時代
2英寸多晶金剛石襯底GaN HEMT問世,通信核心器件迎來高功率低功耗新時代

日本住友電氣工業株式會社(SEI)和大阪公立大學(OMU)在與日本科學技術振興機構(JST)的聯合研究項目中,在2英寸多晶金剛石(PCD)襯底上制造了氮化鎵高電子遷移率...

日期 2025-06-04   

晶馳機電申請防氣流沖擊的大尺寸金剛石生長MPCVD裝置專利,避免氣流沖擊金剛石襯底提高均勻性

金融界2025年5月2日消息,國家知識產權局信息顯示,杭州晶馳機電科技有限公司申請一項名為“一種防氣流沖擊的大尺寸金剛石生長MPCVD裝置及其工作方法”的專利,公開號C...

日期 2025-05-08   

上海天岳申請碳化硅-金剛石復合襯底專利,提高復合襯底整體的熱導率

金融界2025年4月24日消息,國家知識產權局信息顯示,上海天岳半導體材料有限公司申請一項名為“一種碳化硅-金剛石復合襯底及應用”的專利,公開號CN119812142A...

日期 2025-04-25   

50萬片金剛石襯底產線,簽約!

50萬片金剛石襯底產線,簽約!
50萬片金剛石襯底產線,簽約!
50萬片金剛石襯底產線,簽約!

4月1日,新疆碳基芯材科技有限公司與新疆中田投資開發集團有限公司達成戰略合作,計劃建設50萬片金剛石襯底產線,共建量子鉆石原子鐘創新聯盟,并推動建立面向中亞市場的超硬材...

日期 2025-04-09   

金剛石襯底,日本再破紀錄!

近日,日本Orbray株式會社在金剛石襯底領域取得了重大技術突破,成功研制出全球最大尺寸的電子產品用金剛石基板,其規格達到了20mmx20mm。這一進展在一定程度上推動...

日期 2025-04-07   

金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(二)

金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(二)
金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(二)
金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(二)

2熱化學拋光(TCP)Grodzinski在實驗中發現,把金剛石放置在600℃至1800℃的鐵、鎳等金屬板上,金剛石的接觸面會溶解到金屬中,使金剛石表面變得平整,從而提...

日期 2025-03-24   

金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(一)

金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(一)
金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(一)
金剛石半導體襯底研磨拋光技術研究現狀及展望(一)

摘要:隨著半導體電子器件的集成化與小型化發展,金剛石優異的熱導性、電導性成為制備半導體襯底的理想材料。為了滿足半導體行業對電子器件高精度和高可靠性能的要求,需對金剛石表...

日期 2025-03-24   

“終極半導體”破局之路:大尺寸單晶金剛石襯底制備技術突破與挑戰

“終極半導體”破局之路:大尺寸單晶金剛石襯底制備技術突破與挑戰
“終極半導體”破局之路:大尺寸單晶金剛石襯底制備技術突破與挑戰
“終極半導體”破局之路:大尺寸單晶金剛石襯底制備技術突破與挑戰

金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結構的原子晶體,屬于典型的面心立方(FCC)晶體,空間點群為oh7-Fd3m。每個碳原子以sp3雜化的方式與其周圍的4個碳原子相連接...

日期 2025-03-10   

哈密優普萊高品質金剛石毛坯及芯片襯底材料項目開工

2月27日上午,新疆哈密市隆重舉行2025年全市重大項目集中開復工儀式,全市2月份95個重點項目集中開復工。此次新開工的哈密優普萊芯材科技有限公司高品質金剛石毛坯及芯片...

日期 2025-03-04   
惠豐鉆石閃耀極光,8寸襯底切割專用微粉榮獲年度優秀產品獎

惠豐鉆石閃耀極光,8寸襯底切割專用微粉榮獲年度優秀產品獎

2024年行家極光獎頒獎典禮在行業內引起了廣泛關注。經過數月時間的緊密籌劃和專家組委會的嚴格評選,惠豐鉆石憑借其...

日期 2024-12-19   

西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

金剛石作為一種“終極半導體材料”,在力、熱、聲、光、電等方面都具有十分優異的性能,如超寬禁帶、高載流子遷移率、超高熱導率、高擊穿電場等,在高溫、高效、超高頻、超大功率半...

日期 2024-12-02   
研究實現異質外延單晶金剛石襯底的制備

研究實現異質外延單晶金剛石襯底的制備

近日,西安交大王宏興教授團隊采用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術,首次在Ir(111)/藍寶石表面實現...

日期 2024-11-26   

第三代、第四代半導體襯底材料如何高效加工?器件散熱如何攻克?Carbontech半導體與加工主題論壇,上海見

金剛石半導體產業化在即金剛石半導體產業化在即!生長技術大幅度提升,金剛石從工業級-寶石級-熱學級-光學級-電子級,逐步躍遷,同時價格下行,帶動應用端的嘗試。市場需求驅動...

日期 2024-11-14   
日本:多家企業大舉進軍8英寸鍵合碳化硅襯底

日本:多家企業大舉進軍8英寸鍵合碳化硅襯底

鍵合碳化硅襯底即指通過在低電阻多晶SiC支撐襯底上鍵合一層高質量的單晶SiC薄層,這些產品能夠在保持單晶SiC特...

日期 2024-10-14   

碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅作為一種新興的半導體材料,具有導熱率高、寬禁帶、高擊穿電場、高電子遷移率等特性,使得其成為目前研發比較集中的半導體材料之一。因為這些性能,碳化硅可以廣泛地應用于襯...

日期 2024-08-05   
金剛石襯底拋光的煩惱

金剛石襯底拋光的煩惱

近年來,隨著電動汽車和5G通信等新興產業的迅猛發展,第三代半導體材料如碳化硅和氮化鎵受到了廣泛關注。然而,在這些...

日期 2024-07-11   
重塑半導體未來:金剛石襯底材料的崛起與無限可能

重塑半導體未來:金剛石襯底材料的崛起與無限可能

隨著科技的飛速發展和全球對高性能、高效率半導體器件需求的不斷增長,半導體襯底材料作為半導體產業鏈中的關鍵技術環節...

日期 2024-07-04   

天岳先進申請金剛石用研磨液及金剛石襯底的研磨方法專利,能夠實現對金剛石襯底的均勻且高效研磨

2024年6月13日消息,天眼查知識產權信息顯示,山東天岳先進科技股份有限公司申請一項名為“一種金剛石用研磨液及金剛石襯底的研磨方法“,公開號CN20241057902...

日期 2024-06-24   
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中國超硬材料網將通過一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業華麗蝶變,在回顧和盤點中,溫故知新!

第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

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