近日，由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所和中國(guó)科學(xué)院大學(xué)共同承擔(dān)的北京市科技計(jì)劃課題“5mm×5mm半導(dǎo)體金剛石襯底材料研制”通過(guò)驗(yàn)收。

       金剛石是超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高等優(yōu)異性質(zhì)，是研制高頻大功率電子器件、深紫外光電子器件、量子自旋器件等高性能器件的理想材料。國(guó)際上，日本、歐洲、美國(guó)在半導(dǎo)體金剛石材料研究領(lǐng)域處于國(guó)際領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體金剛石材料研究剛剛起步。

       在北京市科技計(jì)劃課題的支持下，課題組掌握了高質(zhì)量半導(dǎo)體金剛石單晶材料制備的MPCVD和RFCVD技術(shù)，研制出國(guó)內(nèi)首個(gè)金剛石電學(xué)性質(zhì)測(cè)試裝置，所制備的半導(dǎo)體單晶金剛石材料，其室溫電子和空穴遷移率分別超過(guò)4100 cm2/V?s和3700 cm2/V?s，與國(guó)際報(bào)道最高數(shù)值接近，為國(guó)內(nèi)目前最好水平。同時(shí)，通過(guò)課題實(shí)施，建立了包括半導(dǎo)體金剛石材料生長(zhǎng)設(shè)備、生長(zhǎng)工藝、測(cè)試表征設(shè)備以及測(cè)試表征方法在內(nèi)的研究體系。下一步，課題組計(jì)劃開(kāi)展半導(dǎo)體金剛石單晶襯底小試工藝研究。