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采用熱絲化學氣相沉積法研究鑲嵌單晶金剛石晶片上硼摻雜層的水平和垂直均勻性

采用熱絲化學氣相沉積法研究鑲嵌單晶金剛石晶片上硼摻雜層的水平和垂直均勻性

為了開發英寸級金剛石加工技術,采用熱絲化學氣相沉積(CVD)技術在鑲嵌單晶金剛石片上生長了硼摻雜層,與微波等離子...

日期 2022-06-08   
微波等離子體化學氣相沉積法生長單晶金剛石用的沉積臺

微波等離子體化學氣相沉積法生長單晶金剛石用的沉積臺

申請號:201720707933.3申請日:2017.06.16申請人:北京科技大學發明人:李成明;趙云;林亮珍...

日期 2018-01-08   
 一種用于微波等離子體化學氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺

一種用于微波等離子體化學氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺

申請號:201720527928.4申請日:2017.05.12申請人:中國工程物理研究院應用電子學研究所發明人...

日期 2017-12-22   
一種用于微波等離子體化學氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺

一種用于微波等離子體化學氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺

申請號:201710334592.4申請人:中國工程物理研究院應用電子學研究所發明人:李文君周霖程云馮真李春霞單...

日期 2017-07-14   

離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬

離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬
離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬
離子束輔助氣相沉積法在曲面襯底沉積CBN薄膜的厚度分布模擬

摘要:本研究利用離子束輔助氣相沉積法(IBAD)對曲面襯底上沉積出的立方氮化硼(CBN)薄膜厚度分布進行模擬。沉積參數條件如下:(i)硼到達率為3.2?/s,(ii)離...

日期 2017-06-01   
混合物理化學氣相沉積法在SiC襯底上制備MgB2超導薄膜

混合物理化學氣相沉積法在SiC襯底上制備MgB2超導薄膜

作者:J.M.Redwing,J.Lettieri,V.Vaithyanathan,D.G.Schlom,Zi-...

日期 2016-01-27   

熱解化學氣相沉積法合成金剛石薄膜特點

答:熱解化學氣相沉積法合成金剛石薄膜的特點是:(1)所有組織的金剛石薄膜是由金剛石結構的晶粒組成,晶粒度在0.1~10um之間。(2)有的金剛石薄膜直接由單晶或孿晶組成...

日期 2012-12-03   

金屬所大尺寸單晶石墨烯的化學氣相沉積法制備及其無損轉移取得重要進展

金屬所大尺寸單晶石墨烯的化學氣相沉積法制備及其無損轉移取得重要進展
金屬所大尺寸單晶石墨烯的化學氣相沉積法制備及其無損轉移取得重要進展
金屬所大尺寸單晶石墨烯的化學氣相沉積法制備及其無損轉移取得重要進展

最近,金屬所沈陽材料科學國家(聯合)實驗室先進炭材料研究部的成會明、任文才研究員帶領的石墨烯研究團隊在大尺寸單晶石墨烯及其薄膜的制備和無損轉移方面取得重要進展。相關論文...

日期 2012-03-01   

化學氣相沉積法碳化硅連續纖維用碳芯的制備方法

名稱化學氣相沉積法碳化硅連續纖維用碳芯的制備方法公開號1103904公開日1995.06.21主分類號D01F9/155

日期 2010-12-22   
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