答：實踐證明，硅對人造金剛石晶體生長的影響主要表現在兩個方面：一是能使晶體生長速度明顯加快；二是不同晶面的生長速度受壓力和溫度的影響較大。
答：用下述合金合成金剛石，其差別十分明顯，如用含Mn5%的合金生長金剛石，70/80占12.9%，是含Mn10%合金的2.3~5.1倍，而40/50是含Mn10%合金的...
答：（1）常壓下，在含有30-40%Ni的Mn-Ni-C系合金中碳的存在明顯地降低其熔點。（2）~48.9GPa壓力和含有46~48%的Ni的Mn-Ni-C系合金的參與...
答：關于這個問題可以從以下兩個事實給予說明。例1：用滲氮和不滲氮觸媒合成金剛石的效果表明，觸媒滲氮有提高金剛石晶體抗壓強度的作用，但金剛石得量很低，由X衍射分析得知，鎳...
答：合金片滲碳后之所以失去觸媒作用，主要是以下兩方面原因造成的：（1）合金晶體結構被破壞，從而破壞了金剛石成核的結晶基底。（2）合金d帶電子組態被破壞，
答：觀察分析證明，金剛石生長工藝中整個金剛石表層都附有一層金屬膜，為了弄清膜的性質，對膜進行了探針及電子束掃描分析，表所列數據是Ni70Mn25Co5合成金剛石的金屬膜...
答：隨著壓力的升高，Ni70Mn25Co5合金中，再結晶石墨變得越來越細小。表金剛石與再結晶石墨的相對含量壓力（GPa）Ni70Mn25Co5合金中金剛石與再結晶石墨含...
專利號：201110119079申請人：天津理工大學技術簡要說明：一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法，采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜，具體步驟如下：
問：金剛石生長室的填裝方式有哪些？答：金剛石生長室的填裝方式，由于研究對象和工作目的不同，方式很多，主要有：（1）片
專利號：CN102212795A申請人：天津理工大學一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法，采用多步生長法來沉積納米金剛
專利號：CN102226273A申請人：南京航空航天大學一種金剛石膜生長電極彈性張緊裝置，包括底板和襯底工作臺，其特
天然金剛石與人造金剛石生長最根本的區別有以下三點：（1）溶劑的不同，天然金剛石是從硅酸鹽溶液中生長的，在其中碳的溶解度非常低，而人造金剛石是從金屬熔體中生長出來的，其中...
名稱在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3
名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B
名稱減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結構公開號1167511公開日1997.12.10主分類號
2月7日，中國超硬材料網總經理石超一行走進鄭州沃德超硬材料有...
10月28日，中國超硬材料網總經理石超、顧問呂華偉、南陽富櫳...
中國超硬材料網將通過一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業華麗蝶變，在回顧和盤點中，溫故知新！
2023年9月20日，時隔四年，期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展，加強國內外企業的交流與合作。
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