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官方微信摘要 名稱生長非常均勻的碳化硅外延層公開號1282386公開日2001.01.31主分類號C30B25/02
| 名稱 | 生長非常均勻的碳化硅外延層 | ||
| 公開號 | 1282386 | 公開日 | 2001.01.31 |
| 主分類號 | C30B25/02 | 分類號 | C30B25/02 |
| 申請號 | 98812328.2 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1998.12.14 | |
| 頒證日 | 優先權 | 1997.12.17 US 08/992,157 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發明人 | O·C·E·科迪納;K·G·伊爾溫;M·J·派斯雷 | 國際申請 | PCT.US98/26558 1998.12.14 |
| 國際公布 | WO99.31306 英 1999.6.24 | 進入國家日期 | 2000.06.16 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 龍傳紅 |
| 摘要 | 公開一種改良的化學氣相沉積方法，該方法能增強碳化硅外延層的均勻性并且對得到較厚外延層特別有用。該方法包括將反應器加熱到碳化硅原料氣體在反應器內基體上形成外延層的溫度；和讓原料氣體和載氣流過加熱的反應器在基體上形成碳化硅外延層，同時載氣包括氫氣和第二種氣體的混和氣體，其中第二種氣體的熱導要低于氫氣熱導，使得原料氣體在通過反應器時它的消耗比使用單一氫氣作載氣時的更低。 | ||
豫公網安備41019702003646號