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官方微信摘要 名稱塊狀碳化硅單晶生長的制備方法公開號1367275公開日2002.09.04主分類號C30B29/36
| 名稱 | 塊狀碳化硅單晶生長的制備方法 | ||
| 公開號 | 1367275 | 公開日 | 2002.09.04 |
| 主分類號 | C30B29/36 | 分類號 | C30B29/36 |
| 申請號 | 01105256.2 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2001.01.20 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 上海德波賽康科研有限公司 | 地址 | 201203上海市張江園區郭守敬路351號海泰樓611－10室 |
| 發明人 | 徐良瑛;束碧云;徐漢彥;王躍進;李定基;董博德 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 上海航天局專利事務所 | 代理人 | 馮和純 |
| 摘要 | 本發明涉及生產碳化硅單晶的方法，為解決生產大尺寸的碳化硅單晶，本發明提供了一種塊狀碳化硅單晶生長的制備方法，通過制備高純碳化硅原料和結構完整的籽晶制備，在高溫高真空及晶體生長溫度精密控制下，利用SIC材料的分解和升華，在籽晶上生長塊狀碳化硅晶體。 | ||
豫公網安備41019702003646號