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官方微信摘要 名稱塊狀碳化硅單晶生長(zhǎng)的制備方法公開號(hào)1367275公開日2002.09.04主分類號(hào)C30B29/36
| 名稱 | 塊狀碳化硅單晶生長(zhǎng)的制備方法 | ||
| 公開號(hào) | 1367275 | 公開日 | 2002.09.04 |
| 主分類號(hào) | C30B29/36 | 分類號(hào) | C30B29/36 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 01105256.2 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 2001.01.20 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 上海德波賽康科研有限公司 | 地址 | 201203上海市張江園區(qū)郭守敬路351號(hào)海泰樓611－10室 |
| 發(fā)明人 | 徐良瑛;束碧云;徐漢彥;王躍進(jìn);李定基;董博德 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 上海航天局專利事務(wù)所 | 代理人 | 馮和純 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及生產(chǎn)碳化硅單晶的方法，為解決生產(chǎn)大尺寸的碳化硅單晶，本發(fā)明提供了一種塊狀碳化硅單晶生長(zhǎng)的制備方法，通過(guò)制備高純碳化硅原料和結(jié)構(gòu)完整的籽晶制備，在高溫高真空及晶體生長(zhǎng)溫度精密控制下，利用SIC材料的分解和升華，在籽晶上生長(zhǎng)塊狀碳化硅晶體。 | ||
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