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官方微信摘要 專利號(hào)：CN102212795A申請(qǐng)人：天津理工大學(xué)一種高致密納米金剛石薄膜的生長(zhǎng)方法，采用多步生長(zhǎng)法來沉積納米金剛
專利號(hào)：CN102212795A
申請(qǐng)人：天津理工大學(xué)
一種高致密納米金剛石薄膜的生長(zhǎng)方法，采用多步生長(zhǎng)法來沉積納米金剛石薄膜，具體步驟如下：１）將硅襯底用磨料進(jìn)行研磨處理；２）在上述研磨處理后的硅襯底上沉積金剛石；３）對(duì)上述已沉積的金剛石薄膜表面用磨料進(jìn)行研磨處理；４）在上述研磨處理后的金剛石薄膜表面再次沉積金剛石；５）重復(fù)進(jìn)行步驟３）和４），即可制得高致密納米金剛石薄膜。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：１）可以制得晶粒小于１００ｎｍ的高致密納米金剛石薄膜；２）金剛石薄膜的晶粒范圍和致密程度可通過調(diào)節(jié)沉積方法、沉積時(shí)間和研磨－沉積重復(fù)次數(shù)來進(jìn)行控制；３）制備方法簡(jiǎn)單易行；４）用于研磨的金剛石粉容易獲取，可循環(huán)利用，成本低廉。
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