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官方微信摘要 名稱在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3
| 名稱 | 在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法 | ||
| 公開號 | 1369904 | 公開日 | 2002.09.18 |
| 主分類號 | H01L21/365 | 分類號 | H01L21/365 |
| 申請號 | 01106742.X | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2001.02.14 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 西安電子科技大學 | 地址 | 710071陜西省西安市太白路2號 |
| 發明人 | 郝躍;彭軍 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 陜西電子工業專利中心 | 代理人 | 王品華 |
| 摘要 | 本發明涉及一種在藍寶石襯底上異質外延生長半導體碳化硅薄膜的方法。主要解決在藍寶石襯底上直接生長碳化硅薄膜時薄膜與襯底之間粘附性差，不易核生長的缺陷。提出一種在藍寶石襯底與SiC薄膜之間介入一層緩沖層作為過渡，以減少晶格失配的生長碳化硅薄膜的方法，即在藍寶石襯底上先淀積一層AlN材料作為緩沖層，形成復合襯底，再在其復合襯底上外延生長SiC薄膜，形成藍寶石－緩沖層－碳化硅三層結構，在藍寶石AlN復合襯底上得到單結晶的6H－SiC薄膜。本發明在藍寶石－氮化鋁復合襯底上已經得到的單結晶碳化硅薄膜，具有明顯優于在硅襯底上得到的薄膜質量，其應力低于在硅襯底上得到SiC應力的5倍，折射率在正常的SiC薄膜范圍內之優點，是制作SiCOI CMOS器件的重要技術，且可保證器件的穩定性和可靠性。 | ||
豫公網安備41019702003646號