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節后單晶硅硅片價格明顯上漲

自去年下半年以來便進入冬天的多晶硅行業在春節后迎來暖流。春節后,進口多晶硅及硅片價格有回溫趨勢,個別企業的國產多晶硅報價上調了10%,單晶硅硅片價格也上漲明顯,部分企業...

日期 2012-02-18   

黃河旋風:單晶業務量價齊升

公司發布2011年業績預增公告,預計2011年實現歸屬于母公司所有者的凈利潤將比上年同期增長100%左右,達到1.26億元左右,以最新股本計算,基本每股收益0.40元左...

日期 2012-02-02   

黃河旋風:單晶顆粒超預期金屬粉與PCD快增長 強烈推薦

黃河旋風金剛石單晶顆粒價格止跌回穩,銷量超預期。預合金化金屬復合粉項目大批放量。聚晶復合片(PCD)產品持續翻番放量。異形聚晶金剛石復合片逐步放量。納米級微粉漸入佳境,...

日期 2012-01-19   

河南省杰出人才基金《1-10 mm大單晶金剛石合成》項目通過結題驗收

河南省杰出人才基金《1-10 mm大單晶金剛石合成》項目通過結題驗收
河南省杰出人才基金《1-10 mm大單晶金剛石合成》項目通過結題驗收
河南省杰出人才基金《1-10 mm大單晶金剛石合成》項目通過結題驗收

隨著技術進步,近年國內磨料級金剛石生產能力呈指數式提高,可是金剛石的市場需求卻呈線性增長,增長速度明顯低于生產能力的增長。這種供需格局必然給金剛石行業的盈利能力帶來深刻...

日期 2012-01-06   

青海制定太陽能級單晶硅片檢測企業標準

27日從青海省科技廳獲悉,通過《太陽能級125×125單晶硅片切割工藝技術研究》項目的成功實施,青海省于6月中旬制定出太陽能級單晶硅片檢測企業標準,編制完成...

日期 2011-06-30   

美研究人員改善石墨烯單晶制造

美國普渡大學研究人員們研究出一種能夠改善石墨烯單晶體陣列的制造方法,使其實現類似于硅晶生產的方式與品質。“以硅晶所實現的高品質量產觀點來看,石墨烯尚未到位,...

日期 2011-06-03   

豫金剛石:單晶產業穩步發展 期待切割線的突破

豫金剛石主業定位于金剛石單晶。公司2010年產量6億克拉左右,生產規模業內第三,第一、第二的中南鉆石和黃河旋風(15.80,-1.04,-6.18%)分別為25億克拉、...

日期 2011-05-28   
焦作年產50萬克拉人造大單晶金剛石項目簽約

焦作年產50萬克拉人造大單晶金剛石項目簽約

河南焦作•珠三角地區經貿洽談暨項目簽約儀式18日下午在深圳舉行,此次洽談會焦作市對外發布100余個項目...

日期 2011-05-20   

日強震影響單晶硅、晶圓與多晶矽供應

根據EnergyTrend的分析,此次日本地震對于全球太陽能產業的影響的程度相較其它產業而言顯得輕微,主要影響范圍集中在單晶硅晶圓與多晶矽的供應。以產業分布來看,日本太...

日期 2011-03-17   
中冶地質總局晶日公司人造金剛石單晶新車間奠基

中冶地質總局晶日公司人造金剛石單晶新車間奠基

3月6日上午,中國冶金地質總局晶日公司舉行人造金剛石單晶新車間奠基儀式,中國冶金地質總局董事長戴志、班子成員及部...

日期 2011-03-09   

合成0.5~1mm金剛石單晶的新方案

名稱合成0.5~1mm金剛石單晶的新方案公開號2268035公開日1997.11.19主分類號C30B35/00&n

日期 2010-12-24   

生產金剛石單晶的新型構件

名稱生產金剛石單晶的新型構件公開號2268036公開日1997.11.19主分類號C30B35/00

日期 2010-12-24   

間隔溫差法合成0.5~1mm金剛石單晶的結構

名稱間隔溫差法合成0.5~1mm金剛石單晶的結構公開號2268037公開日1997.11.19主分類號C30B35/

日期 2010-12-24   

金剛石單晶測試儀機架

名稱金剛石單晶測試儀機架公開號2243657公開日1996.12.25主分類號G01N21/87

日期 2010-12-24   

塊狀碳化硅單晶生長的制備方法

名稱塊狀碳化硅單晶生長的制備方法公開號1367275公開日2002.09.04主分類號C30B29/36

日期 2010-12-24   

氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法

名稱氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法公開號1344336公開日2002.04.10主分類號C30

日期 2010-12-24   

單晶碳化硅薄膜的制造方法及制造設備

名稱單晶碳化硅薄膜的制造方法及制造設備公開號1393907公開日2003.01.29主分類號H01L21/08&nb

日期 2010-12-24   

制造碳化硅單晶的方法和用于制造碳化硅單晶的裝置

名稱制造碳化硅單晶的方法和用于制造碳化硅單晶的裝置公開號1225953公開日1999.08.18主分類號C30B29

日期 2010-12-23   

用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶

名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B

日期 2010-12-23   

生產碳化硅單晶的方法

名稱生產碳化硅單晶的方法公開號1191580公開日1998.08.26主分類號C30B7/00

日期 2010-12-23   
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