| 名稱 | 生產碳化硅單晶的方法 | ||
| 公開號 | 1191580 | 公開日 | 1998.08.26 |
| 主分類號 | C30B7/00 | 分類號 | C30B7/00 |
| 申請?zhí)?/strong> | 96195700.X | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1996.07.17 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1995.7.27[33]DE[31]19527536.5 | |
| 申請人 | 西門子公司 | 地址 | 聯(lián)邦德國慕尼黑 |
| 發(fā)明人 | 勒內·斯坦; 羅蘭·魯普; 約翰尼斯·沃爾科 | 國際申請 | PCT.DE96/01299 96.7.17 |
| 國際公布 | WO97.5303 德 97.2.13 | 進入國家日期 | 1998.01.21 |
| 專利代理機構 | 柳沈知識產權律師事務所 | 代理人 | 范明娥 |
| 摘要 | 公開了一種生產ＳｉＣ立體單晶的新方法。在高的超壓下將ＳｉＣ粉末或者其它原料溶解在一種溶劑中，并在一個晶核上生長。 | ||
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