專利號：CN102230216A
申請人：中國科學院研究生院
一種單晶金剛石的層流等離子體的制備方法，屬于單晶金剛石的制備技術領域。通過調控等離子體的流體特性，構建出穩定的層流等離子體邊界層，使單晶金剛石能夠在大尺寸襯底上進行穩定生產。從而避免當前直流等離子體沉積單晶金剛石的多晶化和小尺寸襯底的問題。優點在于提供了一條適合采用大尺寸籽晶、穩定制備單晶金剛石的途徑，使單晶金剛石穩定生產區尺寸在等離子體運動軸線方向達到7cm，并有效抑制了單晶生長表面的多晶化。
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