單晶金剛石的層流等離子體的制備方法
關(guān)鍵詞 單晶金剛石 , 層流等離子體 , 制備|2012-03-09 09:05:12|行業(yè)專利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 專利號(hào)：CN102230216A申請(qǐng)人：中國(guó)科學(xué)院研究生院一種單晶金剛石的層流等離子體的制備方法，屬于單晶金剛石的制備技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)調(diào)控等離子體的流體特性，構(gòu)建出穩(wěn)定的層流等離子體...
專利號(hào)：CN102230216A
申請(qǐng)人：中國(guó)科學(xué)院研究生院
一種單晶金剛石的層流等離子體的制備方法，屬于單晶金剛石的制備技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)調(diào)控等離子體的流體特性，構(gòu)建出穩(wěn)定的層流等離子體邊界層，使單晶金剛石能夠在大尺寸襯底上進(jìn)行穩(wěn)定生產(chǎn)。從而避免當(dāng)前直流等離子體沉積單晶金剛石的多晶化和小尺寸襯底的問(wèn)題。優(yōu)點(diǎn)在于提供了一條適合采用大尺寸籽晶、穩(wěn)定制備單晶金剛石的途徑，使單晶金剛石穩(wěn)定生產(chǎn)區(qū)尺寸在等離子體運(yùn)動(dòng)軸線方向達(dá)到7cm，并有效抑制了單晶生長(zhǎng)表面的多晶化。
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