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西電團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理,為半導體應用開辟新路徑

西電團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理,為半導體應用開辟新路徑
西電團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理,為半導體應用開辟新路徑
西電團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理,為半導體應用開辟新路徑

金剛石因其超寬禁帶、高擊穿場強、高載流子遷移率及出色熱導率,被視為高頻、大功率、高溫及抗輻射器件的理想材料。在所有晶體取向中,(110)晶面因在氫終端和n型摻雜電子器件...

日期 2025-06-17   

西電郝躍院士、張進成教授團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理

西電郝躍院士、張進成教授團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理
西電郝躍院士、張進成教授團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理
西電郝躍院士、張進成教授團隊揭示(110)晶面單晶金剛石擴大生長機理

金剛石作為超寬禁帶半導體的典型代表,因其超寬禁帶、高擊穿場強、高載流子遷移率及出色的熱導率等特性,成為高頻、大功率、高溫及抗輻射器件的理想材料。其中,(110)單晶金剛...

日期 2025-06-09   

探討人造金剛石晶體生長機理的意義何在?

答:非金剛石型碳轉變成金剛石型碳這一相變過程中,壓力、溫度等是變化的條件,碳原子及其集團的運動和相互作用等是相變的根據。壓力、溫度等外因是通過碳原子及其集團的運動和相互...

日期 2012-08-24   

單壁納米碳管的生長機理

實驗表明單壁納米碳管與多壁納米碳管生長的主要區別在于其生長必須有催化劑存在。但單壁納米碳管的生長過程不同于催化劑法生長碳纖維的過程,這是因為在單壁納米碳管的頂端并未觀察...

日期 2005-08-10   

多壁納米碳管的生長機理——開口與閉口生長

假設碳管生長過程中始終保持閉口,那么通過碳原子簇C2的連續吸附實現了碳管的軸向生長。碳管的閉口是由端部形成五邊形環造成的。在碳管端部的五邊形缺陷有助于這些碳原子簇的吸附...

日期 2005-08-10   
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