申請號：201510863881.4
　　申請人：西北工業大學
　　發明人：劉永勝 趙志峰 張青 成來飛
　　摘要：本發明涉及一種大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法，采用一次成型大粒徑金剛石預制體與CVI工藝結合的方法，制得Diamond/SiC復合材料。采用該方法提高了復合材料中金剛石的粒徑和體積含量，從而有效的提高了復合材料的熱導率。使得熱導率較之流延結合CVI方法制備的復合材料提高約30％。不僅如此，該方法生產工藝簡單、可控，可用于工業化生產。 　　主權利要求：1.一種大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法，其特征在于步驟如下：步驟1：將56％～66％質量分數的金剛石粉料、0.35％～1.38％質量份數的防沉增稠劑、3.5％～4.2％質量份數的聚乙烯醇縮丁醛和30.3％～38.3％質量份數的溶劑混合球磨后得到漿料；所述溶劑為1∶1質量比的無水乙醇和丁酮的混合溶劑；所述各組份的質量總和為百分之百；步驟2：將混合好的漿料倒入模具中，待其在空氣環境下自然干燥后，脫模后制得厚度約為2-3mm的金剛石預制體；所述模具的內表面涂刷脫模劑；步驟3：將金剛石預制體采用石墨夾具后，放入化學氣相滲透爐CVI爐進行化學氣相滲透制備得到Diamond/SiC復合材料；當Diamond/SiC復合材料表面出現SiC殼層后，將其表面的SiC殼層打磨掉后繼續進行沉積，直至Diamond/SiC復合材料的密度達到約3.1g/cm3。
　　2.根據權利要求1所述大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法，其特征在于：所 述步驟1的球磨是：球磨滾筒速率為50-300r/min，時間為5-15h。
　　3.根據權利要求1所述大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法，其特征在于：所 述步驟3的CVI法生成SiC基體的工藝為：以三氯甲基硅烷MTS作為先驅體，氫 氣作為載氣，氬氣作為稀釋氣體，其流率比為1:5～50:2～20，總氣壓為0.5～5kPa， 沉積溫度為873～1773K。
　　4.根據權利要求1所述大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法，其特征在于：所 述金剛石粉料的粒徑為50～500um。