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CVD金剛石薄膜有哪些重要應用?

答:為清楚了解金剛石薄膜工業(yè)應用現(xiàn)狀特列表,以示對照。表CVD金剛石薄膜的重要應用實現(xiàn)的應用領(lǐng)域潛在的重要應用領(lǐng)域(舉例)

日期 2012-12-13   

金剛石薄膜形貌是怎樣分類的?

答:通過金剛石薄膜的掃描電鏡觀察,可將膜的形貌組織分為9種,這9種又可歸納為兩類:第一類為晶粒類,即薄膜直接由晶粒或?qū)\晶組成;第二類為聚晶類,即薄膜由多晶聚合的晶粒團組...

日期 2012-12-12   

立方氮化硼薄膜:刀具的不老藥

立方氮化硼是什么?第二硬的人造磨料,硬度僅次于金剛石,廣泛用于超硬刀具、散熱材料、高溫半導體等方面。雖說是個“老二”,但前途卻是不可估量的。在日...

日期 2012-12-07   

金剛石薄膜生長方法是怎樣分類的?

答:金剛石薄膜的生長方法有很多種,歸納起來可分為兩大類。一類是化學氣相沉積方法,簡稱CVD;另一類是物理氣相沉積方法,簡稱PVD法。這兩類方法中,前者多使用真空度不高但...

日期 2012-12-06   

金剛石薄膜生長的一般規(guī)律是什么?

答:金剛石薄膜的形成過程一般要經(jīng)歷3個階段,即成核及分立晶體的生長、島狀結(jié)構(gòu)(或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))的形成和連續(xù)薄膜的形成。(1)金剛石薄膜的成核晶體成核分為兩種類型:均相成核和...

日期 2012-12-04   

熱解化學氣相沉積法合成金剛石薄膜特點

答:熱解化學氣相沉積法合成金剛石薄膜的特點是:(1)所有組織的金剛石薄膜是由金剛石結(jié)構(gòu)的晶粒組成,晶粒度在0.1~10um之間。(2)有的金剛石薄膜直接由單晶或?qū)\晶組成...

日期 2012-12-03   

淺析全球主要的薄膜太陽能電池生產(chǎn)企業(yè)

全球已有百家以上廠商投入薄膜太陽能電池的研發(fā)制造,且數(shù)量還有增加的趨勢。然而薄膜太陽能電池細分下又有不同的技術(shù),各領(lǐng)導廠商間的發(fā)展亦互有差異。以下為小編整理的全球部分薄...

日期 2012-10-18   
蘭州化物所制備摩擦自適應類金剛石碳基多元摻雜薄膜體系

蘭州化物所制備摩擦自適應類金剛石碳基多元摻雜薄膜體系

在科技部863項目和國家自然科學基金項目支持下,中國科學院蘭州化學物理研究所固體潤滑國家重點實驗室薛群基院士和王...

日期 2012-09-04   

影響CVD金剛石薄膜工具質(zhì)量的因素

1.引言金剛石具有優(yōu)異的物理、化學性質(zhì),在自然界所有物質(zhì)中具有最高的硬度、室溫下有最高的熱導率,同時具有極低的熱膨脹系數(shù)、低摩擦系數(shù)、良好的化學穩(wěn)定性、大的禁帶寬度(5...

日期 2012-09-01   

一種硅基納米金剛石薄膜的制備方法

名稱一種硅基納米金剛石薄膜的制備方法申請?zhí)?01210064534申請日2012年3月13日公開號102605345A公開日

日期 2012-08-29   

美開發(fā)出無缺陷半導體納米晶體薄膜

美國麻省理工學院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料,可廣泛應用并開辟潛在的重點研究領(lǐng)域。相關(guān)報告發(fā)表在近期出...

日期 2012-08-24   

微波輔助類金剛石薄膜包覆玻璃纖維的復合纖維制備方法

名稱微波輔助類金剛石薄膜包覆玻璃纖維的復合纖維制備方法申請?zhí)?01210143782申請日2012年5月10日公開號102627413A

日期 2012-08-21   

一種用于檢測多巴胺的摻硼金剛石薄膜電極的制備方法

專利號:201110428821申請人:天津理工大學技術(shù)簡要說明:一種用于檢測多巴胺的摻硼金剛石薄膜電極的制備方法,以尖端狀鎢絲作為基底,在鎢絲上沉積摻

日期 2012-08-03   

多元摻雜熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法

專利號:201210085095申請人:上海交通大學;上海交友鉆石涂層有限公司技術(shù)簡要說明:本發(fā)明公開了一種多元摻雜熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法

日期 2012-08-03   

日本大學宣布造出超級硅薄膜

據(jù)新華社電日本北陸尖端科學技術(shù)大學院大學日前宣布,其研究小組開發(fā)出能制作大面積硅薄膜“silicene”的技術(shù)。這種只有一個原子厚的薄膜,可具備...

日期 2012-06-14   

摻氮納米金剛石薄膜的制備方法

專利號:201010277501申請人:西南科技大學技術(shù)簡要說明:本發(fā)明是摻氮納米金剛石薄膜的制備方法。包括:a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸為原料,合

日期 2012-06-04   

一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

專利號:201110119079申請人:天津理工大學技術(shù)簡要說明:一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜,具體步驟如下:

日期 2012-06-04   
金剛石薄膜應用領(lǐng)域及前景介紹

金剛石薄膜應用領(lǐng)域及前景介紹

由于其相對低的成本和能夠在襯底生長連續(xù)的多晶薄膜,因而具有如下所示的非常重要和廣闊的應用前景。表1CVD金剛石薄...

日期 2012-05-17   
熱絲化學氣相沉積(HFCVD)制備金剛石薄膜技術(shù)

熱絲化學氣相沉積(HFCVD)制備金剛石薄膜技術(shù)

河南工業(yè)大學材料科學與工程學院楊德威栗正新導讀:本文簡要闡述了熱絲CVD制備金剛石薄膜的技術(shù)原理,探討了影響金剛...

日期 2012-04-14   

一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

專利號:CN102212795A申請人:天津理工大學一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,采用多步生長法來沉積納米金剛

日期 2012-04-12   
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