專利號：201010277501

       申請人：西南科技大學

       技術簡要說明：本發明是摻氮納米金剛石薄膜的制備方法。包括：a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸為原料，合成得到C60含氮衍生物；b、將C60含氮衍生物溶入甲苯中形成甲苯溶液，放入液態源容器中；c、將單晶硅基片放入微波等離子體反應腔中的樣品臺上，開啟微波發生器，并向液態源容器通入氬氣，通過液體鼓泡法用氬氣將C60含N衍生物分子載入反應腔中并在微波能激勵下共同形成等離子體金剛石薄膜。本發明生成的摻氮納米金剛石薄膜電子電導率大，最高達1.31×102Ω-1cm-1，遷移率也較高，對應電導率最大值時可到22cm2/V·s。本發明制備高電導率n型金剛石膜方法簡便，實施容易。