近日，北卡羅來納州立大學的材料研究人員已經開發出一種對新技術，將金剛石沉積在立方體氮化硼表面（c-BN），結合成一個新的單晶體結構。“這種材料可以
申請號：201410107135.8申請人：中國電子科技集團公司第十三研究所摘要：本發明公開了一種金剛石器件的制備方法，涉及半導體器件技術領域。包括以下步驟（1）在有導...
6月12-15日，由中國真空學會、西安交通大學、陜西省科學技術協會、中國真空網和陜西省真空學會聯合主辦的“單晶金...
6月12-15日，由西安交通大學、中國真空學會、陜西省科學技術協會和陜西省真空學會聯合主辦，西安交通大學寬禁帶半...
6月14日，按照“自愿、平等、合作”的原則，西安交通大學、早稻田大學、日本國立物質材料研...
申請號：201410011479申請人：中國電子科技集團公司第十二研究所摘要：一種太赫茲真空器件用的金剛石輸能窗片及其制造方法，屬于真空電子器件領域，該金剛石輸能窗片結...
完成單位：湖南宇晶機器股份有限公司，湖南大學，湘潭大學，溫州大學完成人員：戴瑜興、張義兵、熊萬里、蔣近、周志雄、全惠敏、楊宇紅、鄭崇偉、蔡國安、劉春陵、王環、楊輝煌&
中國首次實現碳化硅大功率器件的批量生產，在以美、歐、日為主導的半導體領域形成突破。業內專家指出，這一突破有望緩解中國的能源危機。泰科天潤半導體科技(北京)有限公司G2S...
石墨烯（Graphene）是由單層碳原子構成蜜蜂窩形式的二維納米結構，具有大的比表面積和良好的載流子傳導性能，預...
名稱碳化硅水平溝道緩沖柵極半導體器件公開號1308774公開日2001.08.15主分類號H01L29/24&nbs
名稱利用注入和橫向擴散制造碳化硅功率器件的自對準方法公開號1304551公開日2001.07.18主分類號H01L2
名稱通過受控退火制造碳化硅功率器件的方法公開號1304546公開日2001.07.18主分類號H01L21/04&n
名稱碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件公開號1278949公開日2001.01.03主分類號H0
名稱一種制造電子元器件金屬外殼用金剛石膜拉深模具公開號2429278公開日2001.05.09主分類號B21D37/
名稱碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件公開號1137331公開日1996.12.04主分類號H01L33/
名稱磁記錄媒體器件的經氟化處理的類金剛石碳保護覆層公開號1332446公開日2002.01.23主分類號G11B5/
名稱磁記錄媒體器件的經氟化處理的類金剛石碳保護覆層公開號1155140公開日1997.07.23主分類號G11B5/
2月7日，中國超硬材料網總經理石超一行走進鄭州沃德超硬材料有...
10月28日，中國超硬材料網總經理石超、顧問呂華偉、南陽富櫳...
中國超硬材料網將通過一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業華麗蝶變，在回顧和盤點中，溫故知新！
2023年9月20日，時隔四年，期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展，加強國內外企業的交流與合作。
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