金剛石類散熱封裝材料與器件研討會在許昌召開

為推動金剛石類散熱封裝材料與器件的技術創新與產業應用，7月25日，由許昌市工業和信息化局、科技局、許昌市投資集團...

2英寸多晶金剛石襯底GaN HEMT問世，通信核心器件迎來高功率低功耗新時代

日本住友電氣工業株式會社（SEI）和大阪公立大學（OMU）在與日本科學技術振興機構（JST）的聯合研究項目中，在2英寸多晶金剛石（PCD）襯底上制造了氮化鎵高電子遷移率...

沃爾德：公司深耕單晶及多晶金剛石在功率半導體器件熱沉方面的應用

金融研究中心03月18日訊，有投資者向沃爾德提問，請問能否詳細介紹公司在金剛石熱沉材料的發展現狀以及未來展望公司回答表示，尊敬的投資者您好！金剛石具有帶隙寬、熱導率高（...

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領域取得重要進展

近日，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、張金風教授研究組在超寬禁帶半導體金剛石功率器件方向取得重要進展。在國際知名期刊《IEEEElectronDeviceLet...

全球首套！金剛石量子器件新突破！

近日，由南方電網公司輸配電部牽頭，南網數研院、南網傳感公司、中國科學院上海微系統所、超高壓輸電公司、貴州電網公司...

深入解析 GaN 器件金剛石近結散熱技術：鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優性能的電子器件領域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不...

寧波材料所與鄭州大學實現金剛石/氧化鎵異質結器件突破

近期，中國科學院寧波材料技術與工程研究所硅基太陽電池及寬禁帶半導體團隊與鄭州大學金剛石材料與器件團隊、南京大學以...

安徽碳索芯材申請金剛石主動散熱器件專利，提高散熱效率

金融界2024年12月19日消息，國家知識產權局信息顯示，安徽碳索芯材科技有限公司申請一項名為“一種金剛石主動散熱器件”的專利，公開號CN119136508A，申請日期...

上海微系統所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展

中國科學院上海微系統所異質集成XOI團隊和南京電子研究所超寬禁帶半導體研究團隊合作，在金剛石基氧化鎵異質集成材料...

金剛石多晶材料：高功率器件散熱解決方案

隨著電子器件功率密度的不斷提升，尤其是在5G通信、電動汽車、高功率激光器、雷達和航空航天等領域，對高效散熱解決方...

金剛石，功率半導體器件的終極選擇！

功率半導體器件是幾乎所有電子制造行業使用的電子電源系統的核心部件。典型應用領域包括消費電子、移動通信、電子設備等...

第三代、第四代半導體襯底材料如何高效加工？器件散熱如何攻克？Carbontech半導體與加工主題論壇，上海見

金剛石半導體產業化在即金剛石半導體產業化在即！生長技術大幅度提升，金剛石從工業級-寶石級-熱學級-光學級-電子級，逐步躍遷，同時價格下行，帶動應用端的嘗試。市場需求驅動...

金剛石助力半導體器件散熱

12月5-7日，由DT新材料主辦的第八屆國際碳材料大會暨產業展覽會（Carbontech2024）將在上海新國際博覽中心隆重舉辦。同期針對半導體與加工主題特設4大論壇，...

【深度解析】金剛石多晶散熱在高功率器件中的應用與價值

在當今科技飛速發展的時代，高功率器件的應用越來越廣泛，從通信領域的射頻功率放大器到激光技術中的高功率激光器，從先...

哈爾濱工業大學在金剛石半導體器件領域取得重大突破：超低阻歐姆接觸

【導讀】單片集成互補邏輯電路與高速光互聯建立在無數金屬-半導體接觸基礎之上，而低電阻且耐久的歐姆接觸是制約超寬禁帶半導體光電子器件性能與應用的一大因素。近日，哈工大紅外...

打破近30年記錄！哈工大金剛石半導體器件重大突破

單片集成互補邏輯電路與高速光互聯建立在無數金屬-半導體接觸基礎之上，而低電阻且耐久的歐姆接觸是制約超寬禁帶半導體光電子器件性能與應用的一大因素。近日，哈工大紅外薄膜與晶...

揭秘金剛石在高功率器件中的應用與市場化難題

在當今快速發展的電子科技領域，材料創新是推動技術進步的重要驅動力。金剛石，這一集力學、電學、熱學、光學、聲學及耐...

中兵紅箭：已開發出適用于金剛石半導體器件研究的襯底材料

e公司訊，中兵紅箭5月17日在互動平臺表示，公司目前已開發出適用于高校院所進行金剛石半導體器件研究的襯底材料，在金剛石半導體材料的尺寸、成本等方面尚未達到產業化推廣的門...

“終極半導體材料”商用再進一步！ 2英寸單晶金剛石電子器件量產

據西安交大官網，近日,西安交通大學王宏興教授團隊經過十年不懈努力，成功實現了2英寸異質外延單晶金剛石自支撐襯底的量產，這是金剛石電子器件領域的一大突破。金剛石半導體，被...

會議通知|2024半導體材料與電子元器件發展論壇