手機資訊
官方微信摘要 名稱碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件公開號1137331公開日1996.12.04主分類號H01L33/
| 名稱 | 碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件 | ||
| 公開號 | 1137331 | 公開日 | 1996.12.04 |
| 主分類號 | H01L33/00 | 分類號 | H01L33/00;H01L21/20 |
| 申請?zhí)?/strong> | 94194481.6 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1994.11.01 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1993.12.13[33]US[31]08/166,229 | |
| 申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納 |
| 發(fā)明人 | 約翰·A·埃德蒙得; 伍拉迪米爾·德米特里夫; 克尼斯? | 國際申請 | PCT.US94/13940 94.11.1 |
| 國際公布 | WO95.17019 英 95.6.22 | 進入國家日期 | 1996.06.13 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 王以平 |
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種過渡晶體結構，用于在一個單晶碳化硅層和一個單晶氮化鎵層之間提供優(yōu)良的晶格匹配和熱匹配。這種過渡晶體結構包括一個緩沖區(qū)，它由以下結構構成：一個第一氮化鎵和氮化鋁層，一個與所述第一層鄰接的第二氮化鎵和氮化鋁層。第二層中氮化鋁的克分子百分比與第一層中氮化鋁的克分子百分比顯著不同。一個單晶氮化鎵層制作于所述第二氮化鎵層上。最佳實施例中，緩沖區(qū)還包括一個位于一個碳化硅襯底上的氮化鋁外延層。 | ||
豫公網安備41019702003646號