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官方微信摘要 名稱碳化硅半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件公開(kāi)號(hào)1286805公開(kāi)日2001.03.07主分類號(hào)H01L29/04
| 名稱 | 碳化硅半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件 | ||
| 公開(kāi)號(hào) | 1286805 | 公開(kāi)日 | 2001.03.07 |
| 主分類號(hào) | H01L29/04 | 分類號(hào) | H01L29/04 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98813915.4 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.03.19 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 株式會(huì)社日立制作所 | 地址 | 日本東京都 |
| 發(fā)明人 | 大野俊之;巖崎貴之;八尾勉 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT.JP98/01185 1998.3.19 |
| 國(guó)際公布 | WO99.48153 日 1999.9.23 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2000.09.18 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吳增勇;葉愷東 |
| 摘要 | 本半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件包括具有第一導(dǎo)電類型的六角形對(duì)稱碳化硅單晶和具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型并位于碳化硅單晶內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)域。在第一導(dǎo)電類型的碳化硅單晶和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域之間形成pn結(jié)。pn結(jié)果面包括從碳化硅單晶表面開(kāi)始沿著深度方向延伸的界面，而延伸的界面包括與碳化硅單晶（１１２０）取向平行或大致與之平行的晶面。因此減小漏電流。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)