申請人: 浙江大學
       發明人: 楊彬; 雷樂成; 李浩
       申請人地址: 浙江省杭州市西湖區浙大路38號
       摘要： 本發明公開了一種采用熱絲化學氣相沉積法制備納米金剛石薄膜的方法。該方法僅以甲烷、氫氣為反應前驅體，無需加入其它惰性氣體，其中甲烷的含量須大于6％，熱絲溫度控制在2000℃以上；反應壓力控制在中等低壓條件均可，最大壓力甚至達到6kPa；襯底表面溫度在750～850℃范圍內為最優選擇。采用該方法制備的納米金剛石薄膜，晶粒尺寸約為幾納米至幾十納米不等，薄膜生長速率大于500nm/h。本發明制備方法簡單，反應氣源單一，無需加入其它惰性氣體，沉積速率快，遠高于微波等離子體化學氣相沉積等方法，制得的納米金剛石薄膜質量高、分布均勻，且該方法非常適合大面積的金剛石薄膜。
       主權利要求
       1.一種納米金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，包括：以甲烷和氫氣的混合氣體作為反應前驅體，采用熱絲化學氣相沉積法在襯底表面制備得到納米金剛石薄膜；其中，熱絲溫度在2000℃以上，襯底表面溫度在750～850℃之間，反應壓力為3000～6000Pa。