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申請號：201080004584申請人：六號元素有限公司
摘要：用于合成單晶金剛石的高壓高溫(HPHT)方法，其中描述了使用具有至少(1)的縱橫比和基本上平行于{110}晶面的生長表面的單晶金剛石籽晶。在1280℃-1390℃范圍內的溫度下進行生長。
獨立權利要求：1.合成單晶金剛石的方法，包括：(a)選擇具有生長表面的單晶金剛石籽晶，該生長表面具有兩個正交尺度a*和b*，其中a*是在生長表面的平面內基本沿著或方向的生長表面的最長尺度，且b*是在與位于生長表面平面內的a*正交的方向上的生長表面的最長尺度，其中由a*/b*定義的生長表面的縱橫比為至少1并且生長表面基本平行于{110}晶面；(b)將籽晶安裝在襯底表面之上或之內，使得籽晶的生長表面得到暴露，且籽晶的生長表面基本平行于襯底表面；和(c)在高壓高溫環境下，于1280℃-1390℃范圍內的溫度下在使得在籽晶的至少生長表面上產生單晶金剛石的條件下進行晶體生長；其中，合成的單晶金剛石具有沿著或方向的最長尺度a#，該最大尺度a#超過至少2mm。
豫公網安備41019702003646號