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官方微信摘要 名稱碳化硅場控雙極型開關公開號1254442公開日2000.05.24主分類號H01L29/739
| 名稱 | 碳化硅場控雙極型開關 | ||
| 公開號 | 1254442 | 公開日 | 2000.05.24 |
| 主分類號 | H01L29/739 | 分類號 | H01L29/739;H01L29/24 |
| 申請號 | 98804658.X | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1998.03.20 | |
| 頒證日 | 優先權 | [32]1997.4.30[33]US[31]08/846,286 | |
| 申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發明人 | R·辛格; J·W·帕爾穆爾 | 國際申請 | PCT.US98/05487 1998.3.20 |
| 國際公布 | WO98.49731 英 1998.11.5 | 進入國家日期 | 1999.10.29 |
| 專利代理機構 | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 鄒光新; 張志醒 |
| 摘要 | 場控雙極性開關具有帶有上表面和下表面的第一導電類型的單晶碳化硅體材料襯底。第二導電類型碳化硅的第二外延層制作在襯底的上表面上。第二導電類型碳化硅的第—外延層制作在碳化硅的第二外延層上。多個第三導電類型碳化硅區域制作在第二外延層中以便在第二外延層中形成柵極柵格。第二導電類型碳化硅的第三外延層制作在第二外延層上，第二導電類型碳化硅的第四外延層制作在第三外延層上。第四外延層的載流子濃度高于第一、第二和第三外延層。第一歐姆接觸制作在第四外延層上，第二歐姆接觸制作在襯底的下表面上。歐姆柵極接觸連接到柵極柵格，以便在向歐姆柵極接觸施加偏置電壓時夾斷第一歐姆接觸和第二歐姆接觸之間的電流。 | ||
豫公網安備41019702003646號