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金剛石薄膜冷陰極結構及其制備方法

關鍵詞金剛石薄膜 , 冷陰極結構 , 制備方法 |2010-12-15 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱金剛石薄膜冷陰極結構及其制備方法公開號1274020公開日2000.11.22主分類號C23C16/513&nb

名稱	金剛石薄膜冷陰極結構及其制備方法
公開號	1274020	公開日	2000.11.22
主分類號	C23C16/513	分類號	C23C16/513
申請號	00107439.3
分案原申請號		申請日	2000.05.15
頒證日		優先權
申請人	北京工業大學	地址	100022北京市朝陽區平樂園100號
發明人	陳光華; 張陽	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	北京工業大學專利代理事務所	代理人	張慧
摘要	一種金剛石薄膜冷陰極結構及其制備方法屬于場致電子發射技術領域。本發明的金剛石薄膜冷陰極結構，包括金屬襯底和金剛石晶粒，其特征為采用金屬Cu 作襯底且在金屬襯底上若干個熔融的小孔內生長出金剛石晶粒。其制備方法包括用微波等離子體清洗Cu，使Cu熔融形成小孔，然后采用常規方法使金剛石晶粒在所限定的小孔內成核、生長。用該方法制備出的單晶金剛石薄膜冷陰極結構，具有閾值電壓低、場發射電流密度大且制備溫度低的特點。

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