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反應離子束刻蝕金剛石薄膜圖形工藝

關鍵詞離子束 , 刻蝕 , 金剛石 , 薄膜圖形 , 工藝 |2010-12-10 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱反應離子束刻蝕金剛石薄膜圖形工藝公開號1224077公開日1999.07.28主分類號C23F1/02

名稱	反應離子束刻蝕金剛石薄膜圖形工藝
公開號	1224077	公開日	1999.07.28
主分類號	C23F1/02	分類號	C23F1/02
申請號	98122855.0
分案原申請號		申請日	1998.12.17
頒證日		優先權
申請人	中國科學院上海冶金研究所	地址	200050上海市長寧區長寧路865號
發明人	任琮欣; 江炳堯; 王效東; 楊藝榕	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	上海華東專利事務所	代理人	沈德新
摘要	本發明涉及一種反應離子束刻蝕金剛石薄膜圖形工藝。金剛石薄膜由熱絲法生長在硅片上，刻蝕圖形在具有卡夫曼型離子源的離子束刻蝕機上，采用純氧反應離子束，以鋁膜為掩模進行。鋁掩模可由光刻、腐蝕或氬離子束刻蝕形成。氧分壓下，金剛石和鋁的刻蝕速率差別很大，金剛石對鋁的刻蝕選擇比可達到４０。刻蝕后殘留的鋁由腐蝕去除，是一種工藝簡單，重復性好，刻蝕線條清晰、陡直，可與微電子工藝兼容的金剛石圖形化技術。

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