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官方微信摘要 名稱制備類金剛石碳膜(DLC)的方法、由此制備的DLC膜、該膜的用途、場致發射體陣列以及場致發射體陰極公開號1166864公開日1997.12.03
| 名稱 | 制備類金剛石碳膜(DLC)的方法、由此制備的DLC膜、該膜的用途、場致發射體陣列以及場致發射體陰極 | ||
| 公開號 | 1166864 | 公開日 | 1997.12.03 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26 |
| 申請號 | 96191316.9 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1996.11.02 | |
| 頒證日 | 優先權 | [32]1995.11.2[33]KR[31]1995/39256 | |
| 申請人 | 奧里翁電氣株式會社 | 地址 | 韓國慶尚北道 |
| 發明人 | 張震; 樸奎昶 | 國際申請 | PCT.KR96/00192 96.11.2 |
| 國際公布 | WO97.16580 英 97.5.9 | 進入國家日期 | 1997.07.02 |
| 專利代理機構 | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 摘要 | 本發明涉及一種用于形成基本不含氫的ＤＬＣ層的方法，其中將厚度約為１— １００納米的ＤＬＣ層沉積在樣品基底或場致發射體陣列的整個表面上，隨后將其暴露在含氟氣體的蝕刻等離子體中，其中在后一步驟中，含在基底中的氫通過與氟的化學蝕刻反應而被去除，其中重復形成該不含氫的ＤＬＣ層的步驟，以得到預定厚度的ＤＬＣ膜。 | ||
豫公網安備41019702003646號