名稱(chēng) | 微波法低溫沉積細(xì)晶粒金剛石薄膜 | ||
公開(kāi)號(hào) | 1066299 | 公開(kāi)日 | 1992.11.18 |
主分類(lèi)號(hào) | C23C16/26 | 分類(lèi)號(hào) | C23C16/26;C23C16/48 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 91102584.7 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1991.04.28 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 北京科技大學(xué) | 地址 | 100083北京市學(xué)院路30號(hào) |
發(fā)明人 | 楊保雄; 呂反修; 蔣高松; 葉銳曾 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu) | 北京科技大學(xué)專(zhuān)利代理事務(wù)所 | 代理人 | 劉月娥 |
摘要 | 本發(fā)明提供了一種用化學(xué)氣相沉積工藝沉積可用于光學(xué)及電學(xué)領(lǐng)域的金剛石薄膜技術(shù)。其特征在于工作氣體中含有0.1—10%的高純氧氣,0.1— 10%的高純甲烷,剩余為高純氫氣,工作氣體的壓力為1—100τ,在金剛石膜沉積過(guò)程中微波功率為100—500瓦。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于工藝簡(jiǎn)單、重復(fù)性強(qiáng),突破了金剛石薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域,可用于光學(xué)、電學(xué)領(lǐng)域。 |