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官方微信摘要 名稱弧光放電化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的方法公開號1041187公開日1990.04.11主分類號C23C16/26&n
| 名稱 | 弧光放電化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的方法 | ||
| 公開號 | 1041187 | 公開日 | 1990.04.11 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26;C23C16/50 |
| 申請?zhí)?/strong> | 89107140.7 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1989.09.19 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 北京市科學(xué)技術(shù)研究院; 蘭州大學(xué)電子材料研究所 | 地址 | 北京市西外南路19號 |
| 發(fā)明人 | 蔣翔六; 張仿清 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 北京市專利事務(wù)所 | 代理人 | 郭佩蘭 |
| 摘要 | 一種弧光放電化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的方法，它采用甲烷與氫氣的混合氣體為直流弧光放電等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的反應(yīng)源氣，甲烷在反應(yīng)源氣中的濃度控制在０．５～２．０％之間，反應(yīng)中還適當(dāng)增大了反應(yīng)源氣的流量，流量范圍為２０００～５０００標(biāo)準(zhǔn)立方厘米／分。用本發(fā)明提供的方法制備的金剛石薄膜的平均生長速率為４０～６０微米／小時（四小時的平均值），薄膜中的金剛石晶粒線度可達(dá)５０～６０微米，本方法與已有方法相比，沉積工藝易于控制，薄膜沉積的重復(fù)性較好。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號