申請號：201580059054.8
       申請人：住友電氣工業株式會社 住友電工硬質合金株式會社
       發明人：西林良樹 植田曉彥 小林豐

       摘要： 一種單晶金剛石材料，具有對于波長大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波長的光的小于或等于15％的透過率，并且是根據光學評估的電絕緣體和根據電氣評估的電絕緣體中的至少任何一個。光學評估的準則可以是波長為10.6μm光的透過率大于或等于1％的。電氣評估的標準可以是平均電阻率大于或等于1×106Ωcm。因此，提供了在可見光區域的整個區域中具有低透過率且呈現黑色的單晶金剛石材料。

       主權利要求：1.一種單晶金剛石材料，對于波長大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波長的光，所述單晶金剛石材料的透過率小于或等于15％，所述單晶金剛石材料是根據光學評估的電絕緣體和根據電氣評估的電絕緣體中的至少任何一個。
       2.根據權利要求1所述的單晶金剛石材料，其中，所述光學評估的準則是波長為10.6μm的光的透過率大于或等于1％。
       3.根據權利要求1或2所述的單晶金剛石材料，其中，所述電氣評估的準則是平均電阻率大于或等于1×106Ωcm。
       4.根據權利要求1至3中的任一項所述的單晶金剛石材料，其中，對于波長大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波長的光，透過率小于或等于3％。
       5.根據權利要求1至4中的任一項所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的總氮濃度大于或等于孤立替位氮濃度的8倍。
       6.根據權利要求1至5中的任一項所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的非替位氮濃度大于或等于0.875ppm，所述非替位氮濃度是通過從總氮濃度減去孤立替位氮濃度來獲得的。
       7.根據權利要求1至6中的任一項所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的空位濃度高于孤立替位氮濃度、非替位氮濃度、總氮濃度和1ppm中的至少任一個。
       8.根據權利要求1至7中的任一項所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的選自由鎂、鋁、硅、磷和硫組成的組中的至少一種雜質元素的總雜質元素濃度大于或等于至50ppb。
       9.根據權利要求1至8中的任一項所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的選自由鎂、鋁、硅、磷和硫組成的組中的至少一種雜質元素的總雜質元素濃度大于或等于所述雜質元素的總替位雜質元素濃度的8倍。
       10.根據權利要求1至9中的任一項所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的總硼濃度小于或等于總氮濃度。
       11.一種工具，包括根據權利要求1至10中的任一項所述的單晶金剛石材料。
       12.一種輻射溫度監測器，包括根據權利要求1至10中的任一項所述的單晶金剛石材料。
       13.一種紅外光學組件，包括根據權利要求1至10中的任一項所述的單晶金剛石材料。