摘要 申請號:201621057920.8申請人:中國科學院金屬研究所發明人:姜辛劉魯生黃楠楊兵翟超峰李俊豪賈心怡摘要:本實用新型涉及金剛石膜生長領域,尤其涉及一種高功率大面積偏壓微波等...
申請號:201621057920.8
申請人:中國科學院金屬研究所
發明人:姜辛 劉魯生 黃楠 楊兵 翟超峰 李俊豪 賈心怡
摘要: 本實用新型涉及
金剛石膜生長領域,尤其涉及一種高功率大面積偏壓微波等離子體
金剛石薄膜沉積裝置。該裝置在密閉的殼體之間設置石英管,石英管一端外部設有依次連接的截止波導、波導、調配器、微波源,截止波導上設置冷卻水出口;石英管另一端外部設有短路活塞,短路活塞所在的活塞缸上設有冷卻水入口,所述石英管另一端外部與反應氣體入口連通;石英管的上部設有光電溫度計,下部設有真空系統、直流偏壓電源;石英管內部設有基片臺、基片,基片設置于基片臺上,直流偏壓電源通過電纜與基片臺相連。本實用新型在高功率大面積微波等離子體沉積裝置的基片臺上加裝直流負偏壓系統,能夠制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的金剛石單晶膜。
主權利要求:1.一種高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,該裝置設有密閉的殼體,殼體之間為石英管,石英管一端外部設有依次連接的截止波導、波導、調配器、微波源,截止波導上設置冷卻水出口;石英管另一端外部設有短路活塞,短路活塞所在的活塞缸上設有冷卻水入口,所述石英管另一端外部與反應氣體入口連通;石英管的上部設有光電溫度計,石英管的下部設有真空系統、直流偏壓電源;石英管內部設有基片臺、基片,基片設置于基片臺上,直流偏壓電源通過電纜與基片臺相連。
2.按照權利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,殼體物理接地。
3.按照權利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,冷卻水出口通過管路與外部冷水設備連接。
4.按照權利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,反應氣體入口通過管路與外部氣源連接,冷卻水入口通過管路與外部冷水設備連接。
5.按照權利要求1所述的高功率大面積偏壓微波等離子體金剛石膜薄膜沉積裝置,其特征于,真空系統通過管路與殼體相連。
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