申請號：201410727811.1

       申請人：中國科學院重慶綠色智能技術研究院

       發明人：馮雙龍 陸文強 宋金會 王鳳麗 王亮 李振湖

       摘要： 本發明公開了一種多孔金剛石薄膜的制備方法，將硅襯底放置于微波等離子體化學氣相沉積裝置中，所述硅襯底表面鍍有一層金屬Pt薄膜作為催化劑；將真空度控制在10-30毫巴，通入工作氣體載入碳源至微波等離子發生區域，加熱至750-850℃；沉積得到塊體的金剛石薄膜；將薄膜在500-600℃空氣氛圍中煅燒，得到多孔金剛石薄膜。該方法不需要模板，也無需復雜的預處理工藝和高溫過程，能夠避免金屬污染，使處理工序更加簡化。

       主權利要求：1.一種多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：將硅襯底放置于微波等離子體化學氣相沉積裝置中，所述硅襯底表面鍍有一層金屬Pt薄膜作為催化劑；將真空度控制在10-30毫巴，通入工作氣體載入碳源至微波等離子發生區域，加熱至750-850℃；沉積得到塊體的金剛石薄膜；將薄膜在500-600℃空氣氛圍中煅燒，得到多孔金剛石薄膜。

       2.如權利要求1所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述碳源為同時含有SP3和SP2碳原子的有機化合物。

       3.如權利要求2所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述碳源為甲酸甲酯。

       4.如權利要求1-3中任意權利要求所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述工作 氣體選自氫氣，氬氣或氦氣中的一種或多種。

       5.如權利要求3所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，工作氣體除載入碳源甲酸甲 酯外，還可以載入一種或多種摻雜氣體。

       6.一種多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：將硅襯底放置于微波等離 子體化學氣相沉積裝置中，該硅襯底表面鍍有一層金屬Pt薄膜作為催化劑；將真空度控制在 10-30毫巴，通入H2并加熱至750-850℃，以Ar為載氣將碳源甲酸甲酯帶入微波等離子發生 區域；沉積得到塊體的金剛石薄膜；將薄膜在500-600℃空氣氛圍中煅燒，得到多孔的金剛 石薄膜。

       7.如權利要求6所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述Pt薄膜的的厚度為3-5nm。

       8.如權利要求6或7所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述H2的流速為 95-99sccm，Ar的流速為5-1sccm。

       9.如權利要求8所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述金剛石薄膜的沉積生長 時間為3-10小時。

       10.如權利要求9所述多孔金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，煅燒時間為30-60分鐘。