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騰六光電取得一種MPCVD腔體結構專利,減緩邊緣籽晶的生長增厚速率并提升金剛石質量

金融界2025年6月12日消息,國家知識產權局信息顯示,成都騰六光電有限公司取得一項名為“一種MPCVD腔體結構”的專利,授權公告號CN222961539U,申請日期為...

日期 2025-06-12   
印度:取消培育鉆石籽晶進口關稅

印度:取消培育鉆石籽晶進口關稅

2月1日,印度財長尼爾瑪拉?西塔拉曼(NirmalaSitharaman)就2025年聯邦預算(Budget20...

日期 2025-02-05   

黃河旋風申請降低CVD單晶金剛石生長過程中應力的方法專利,穩定單晶金剛石籽晶與樣品生長臺之間的傳熱

金融界2024年3月4日消息,據國家知識產權局公告,河南黃河旋風股份有限公司申請一項名為“降低CVD單晶金剛石生長過程中應力的方法“,公開號CN117626421A,申...

日期 2024-03-04   
哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

7月26日,第二十三屆中國專利獎評選結果揭曉,哈爾濱工業大學斬獲一金一銀(全國專利金獎30項、專利銀獎60項),...

日期 2022-08-08   

一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法

申請號:201510459097.7申請人:哈爾濱工業大學發明人:朱嘉琦舒國陽代兵楊磊王強王楊陳亞男趙繼文劉康孫明琪韓杰才摘要:一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空...

日期 2015-10-28   

利用氫等離子體多次刻蝕/退火循環工藝提高金剛石籽晶質量的方法

申請號:201510304702.3申請人:哈爾濱工業大學發明人:朱嘉琦陳亞男代兵舒國陽王強趙繼文劉康摘要:利用氫等離子體多次刻蝕/退火循環工藝提高金剛石籽晶質量的方法...

日期 2015-10-16   

一種用于生長金剛石單晶的新型籽晶托盤

申請號:201420738188.5申請人:常州寶頤金剛石科技有限公司發明人:史玉芬周學芹劉小利摘要:本

日期 2015-05-05   

利用不同籽晶面生長優質寶石級金剛石單晶

利用不同籽晶面生長優質寶石級金剛石單晶
利用不同籽晶面生長優質寶石級金剛石單晶
利用不同籽晶面生長優質寶石級金剛石單晶

利用不同籽晶面生長優質寶石級金剛石單晶摘要:為了研究不同籽晶生長面合成寶石級金剛石單晶(>1mm),以NMinCo金屬觸媒,采用高溫高壓溫度梯度法合成了籽晶{100}生...

日期 2008-07-17   
  共 8 條記錄

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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

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