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西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

金剛石作為一種“終極半導體材料”,在力、熱、聲、光、電等方面都具有十分優異的性能,如超寬禁帶、高載流子遷移率、超高熱導率、高擊穿電場等,在高溫、高效、超高頻、超大功率半...

日期 2024-12-02   
研究實現異質外延單晶金剛石襯底的制備

研究實現異質外延單晶金剛石襯底的制備

近日,西安交大王宏興教授團隊采用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術,首次在Ir(111)/藍寶石表面實現...

日期 2024-11-26   

金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰

金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰
金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰
金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰

在半導體技術的前沿領域,金剛石/GaN異質外延技術正受到廣泛關注。異質外延技術通常需要在外延表面沉積緩沖層,包括金剛石異質外延GaN技術和GaN底面異質外延金剛石技術。...

日期 2024-10-25   
單晶金剛石異質外延生長有限,該如何推動技術整合發展

單晶金剛石異質外延生長有限,該如何推動技術整合發展

金剛石被廣泛提議用于未來的量子和電子技術。金剛石中的色心具有卓越的相干性和強大的自旋光子界面。這使得量子網絡演示...

日期 2024-10-17   

3.35英寸!寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破

3.35英寸!寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破
3.35英寸!寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破
3.35英寸!寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破

近日,在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產業園內,一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中,一顆60mm×60mm的單晶金剛石片映入眼簾。據了解,該金剛石片采用的是同質外...

日期 2024-07-31   

半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展

半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展
半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展
半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展

作為一種超寬帶隙半導體材料,金剛石具有禁帶寬度大、載流子遷移率高,載流子飽和漂移速度大、臨界擊穿場強大、熱導率高等優點,非常適合用于制備高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的電...

日期 2024-07-18   

西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產

西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產
西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產
西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產

近日,由西安交通大學王宏興教授領銜的創業團隊在單晶金剛石襯底技術產業化上取得了重大進展和突破。該團隊采用一種基于微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術實現了2英寸異...

日期 2024-01-09   

異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展

異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展
異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展
異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展

1異質外延單晶金剛石微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)是高質量單晶金剛石制備的主流方法。根據襯底選擇可將其分為同質外延和異質外延兩種。同質外延以單晶金剛石為襯底,通...

日期 2023-09-05   

哈爾濱工業大學:Ir襯底上金剛石半導體異質外延生長技術與機理研究進展

推薦語:瞄準金剛石晶圓制備這一制約其應用的技術難題,從形核與生長基本理論出發,通過闡述金剛石形核裝置、工藝窗口、形核現象、織構生長、位錯控制等關鍵技術細節,對Ir襯底上...

日期 2023-02-02   
哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

7月26日,第二十三屆中國專利獎評選結果揭曉,哈爾濱工業大學斬獲一金一銀(全國專利金獎30項、專利銀獎60項),...

日期 2022-08-08   

日本先進工業科學與技術研究院:拼接法單晶金剛石襯底上HFCVD硼摻雜外延層的水平和垂直方向均勻性研究

金剛石因優異的物理、電子性能而在功率電子器件和量子技術領域里表現出誘人的應用前景。想要實現這些應用,需要表面平整、內部沒有嚴重晶體缺陷的本體材料和缺陷數量可控的高質量外...

日期 2022-06-07   

NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

單晶金剛石憑借優異的力、熱、光、電等性質,在探測器、功率器件、量子計算等領域具有廣泛的應用前景,但大尺寸低缺陷高純度晶體的合成是制約其應用的主要瓶頸。作為兩種最常用的C...

日期 2021-12-29   
上海光機所在金剛石異質外延方面取得進展

上海光機所在金剛石異質外延方面取得進展

到目前為止,解決固體激光器的熱管理問題仍然具有挑戰性。在所有已知材料中,金剛石具有最高的熱導率、極其穩定的物化性...

日期 2021-09-16   

高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究

高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究

單晶金剛石(SCD)具有優異的物理化學性能,在制備時通常需要高功率微波等離子體源,可以通過提高功率或者增加壓力等方式來進行制備。然而,在高沉積壓力作用下,微波等離子球的...

日期 2021-09-09   

“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延

“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延
“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延
“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延

金剛石具有寬帶隙,高熱導率,高載流子遷移率,低介電常數等優越特性,在各領域中有著巨大的應用價值。其中,金剛石單晶更以其沒有晶界和較低的缺陷密度而成為目前金剛石在高功率及...

日期 2019-05-10   

LED芯片 16 種襯底、外延及芯片結構分析

近幾年LED技術發展迅速,取得襯底、外延及芯片核心技術突破性進展。1、圖形化襯底LED外延現階段普遍使用圖形化襯底(PSS),PSS目前分為微米級PSS和納米級nPSS...

日期 2016-01-07   
一種利用等離子體擋板優化單晶金剛石同質外延生長的方法

一種利用等離子體擋板優化單晶金剛石同質外延生長的方法

申請號:201510443127.5申請人:哈爾濱工業大學發明人:朱嘉琦舒國陽代兵陳亞男楊磊王強王楊劉康趙繼文孫...

日期 2015-11-06   

一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法

申請號:201510459097.7申請人:哈爾濱工業大學發明人:朱嘉琦舒國陽代兵楊磊王強王楊陳亞男趙繼文劉康孫明琪韓杰才摘要:一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空...

日期 2015-10-28   

一種同質外延生長單晶金剛石時控制表面溫度的方法

申請號:201510199722.9申請人:哈爾濱工業大學發明人:舒國陽代兵朱嘉琦王楊楊磊韓杰才&

日期 2015-07-30   

金剛石同質外延橫向生長方法

申請號:201510023907.4申請人:王宏興發明人:王宏興李碩業王瑋張景文卜忍安侯洵摘要:本

日期 2015-06-03   
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