申請?zhí)枺?01620264109.0
　　申請人：上海征世科技有限公司
　　發(fā)明人：龔闖 鄭燦

　　摘要：本實(shí)用新型涉及金剛石生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是用于等離子體化學(xué)氣相沉積法雙向生長單晶金剛石的襯底托。包括水冷基片臺(tái)，所述水冷基片臺(tái)上設(shè)有襯底托，所述襯底托由水平底部和中心凸起部位組成，所述襯底托水平底部為圓盤，所述中心凸起部位設(shè)有方形通孔，所述方形通孔個(gè)數(shù)≥1且為任意幾何形狀。本實(shí)用新型的襯底托為一體式組成，水平圓盤與水冷基片臺(tái)直接接觸，起到較好的散熱作用，豎直襯底托處于等離子體中，起到固定單晶金剛石種子的作用并將種子雙面接觸等離子體，這樣雙面生長單晶金剛石，單位時(shí)間內(nèi)有效速率太高了一倍，減少生長時(shí)間和生長步驟，能夠滿足工業(yè)化生產(chǎn)要求。 　　主權(quán)利要求：1.一種用于雙向生長單晶金剛石的襯底托，包括水冷基片臺(tái)（1），其特征在于：所述水冷基片臺(tái)（1）上設(shè)有襯底托，所述襯底托由水平底部（2-1）和中心凸起部位（2-2）組成，所述襯底托水平底部（2-1）為圓盤，所述中心凸起部位（2-2）設(shè)有通孔（3），所述通孔（3）個(gè)數(shù)≥1且為任意幾何形狀。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于雙向生長單晶金剛石的襯底托，其特征在于：所述襯底托為鉬或鎢或鉭制成的組件。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于雙向生長單晶金剛石的襯底托，其特征在于：所述通孔（3）個(gè)數(shù)為1個(gè)時(shí)，所述通孔（3）位于襯底托的中心凸起部位（2-2）中心。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于雙向生長單晶金剛石的襯底托，其特征在于：所述通孔（3）個(gè)數(shù)為多個(gè)時(shí)，所述通孔（3）均勻?qū)ΨQ分布在襯底托中心凸起部位（2-2）中心。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于雙向生長單晶金剛石的襯底托，其特征在于：所述襯底托中心凸起部位（2-2）和通孔（3）為正方形。
　　6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于雙向生長單晶金剛石的襯底托，其特征在于：所述襯底托水平底部（2-1）圓盤直徑為10-300mm，厚度為1-20mm；所述襯底托中心凸起部位（2-2）尺寸為5-100mm，厚度為0.5-10mm；所述通孔（3）的尺寸為1-30mm，厚度為0.5-10mm。