申請號：201610256111.8
　　申請人：武漢理工大學
　　發明人：章嵩 李登峰 徐偉清 涂溶 張聯盟

　　摘要：本發明公開了一種利用MPCVD中頻感應輔助加熱制備金剛石薄膜的方法，通過在原來MPCVD裝置的基礎上增加一個用于測溫和支撐的熱電偶、用于感應產熱的石墨管以及銅線圈，在反應的過程中，通過置于基板座中的熱電偶配合中頻感應加熱器對基板溫度進行快速且精準的調控。本發明方法既保留了原有MPCVD系統沉積金剛石膜的優點，又能為金剛石薄膜的生長提供穩定的條件，結合對基板的預處理以及通入輔助氣體提高形核密度，能夠生長出晶粒尺寸和薄膜厚度均勻的金剛石薄膜。 　　主權利要求：1.利用MPCVD中頻感應輔助加熱制備金剛石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)將基板放入混有金剛石微粉的丙酮溶液中，超聲震蕩一定時間，用去離子水洗凈后以氮氣吹干；(2)將處理好的基板置于基板座上，設定好MPCVD系統和中頻感應輔助加熱器；(3)抽真空并打開中頻感應輔助加熱器的開關，對基板進行預熱；(4)在溫度接近設定值時通入反應氣體與載流氣，調節流量計使氣流速度穩定；(5)打開微波源，激發前驅體，開始沉積金剛石薄膜，中頻感應輔助加熱器通過熱電偶實時監控基板溫度使其保持穩定，直至沉積結束。
　　2.如權利要求1中所述的制備金剛石薄膜的方法，其特征在于：步驟(1)中金剛石微粉的粒徑為30-40μm，金剛石在丙酮中的混合濃度為10g/L。
　　3.如權利要求1中所述的制備金剛石薄膜的方法，其特征在于：步驟(2)中MPCVD系統沉積腔壓力設定在1000-6000Pa，基板溫度設定在600-900℃。
　　4.如權利要求1中所述的制備金剛石薄膜的方法，其特征在于：步驟(4)中通入的氣體為CH4、H2和CO2，氣體總流量為400-800sccm，CH4與H2的質量流量比小于5％。