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　　申請人：北京華進創(chuàng)威電子有限公司
　　發(fā)明人：詹琳

　　摘要：本發(fā)明一種碳化硅晶片雙面拋光方法，包括將碳化硅晶片在雙面拋光機依次進行粗拋光、半精拋和精拋光；其中，進行粗拋光時，使用水溶性金剛石拋光液，金剛石顆粒粒徑為5-15um，拋光壓力為40-100kg，拋光盤為樹脂銅盤、樹脂錫盤或者聚氨酯類結構的拋光墊；進行半精拋時，使用水溶性金剛石拋光液，金剛石顆粒粒徑為0.25-3um，拋光壓力為60-120kg，拋光盤為樹脂銅盤、樹脂錫盤或者聚氨酯類結構的拋光墊；進行精拋光時，使用堿性的二氧化硅拋光液，加入適當比例的氧化劑，調(diào)節(jié)精拋液PH值為9-13，拋光壓力為80-140kg，拋光墊為絨毛類結構的拋光墊。通過本發(fā)明的雙面拋光方法，可節(jié)省一倍加工時間，提高碳化硅晶片平整度，拋光后表面質(zhì)量一致，無橘皮、劃傷、霧狀等缺陷。

　　主權利要求：1.一種碳化硅晶片雙面拋光方法，其特征在于，包括將碳化硅晶片在雙面拋光機依次進行粗拋光、半精拋和精拋光；其中，進行所述粗拋光時，使用水溶性金剛石拋光液，金剛石顆粒粒徑為5-15um，拋光壓力為40-100kg，拋光盤為樹脂銅盤、樹脂錫盤或者聚氨酯類結構的拋光墊；進行所述半精拋時，使用水溶性金剛石拋光液，金剛石顆粒粒徑為0.25-3um，拋光壓力為60-120kg，拋光盤為樹脂銅盤、樹脂錫盤或者聚氨酯類結構的拋光墊；進行所述精拋光時，使用堿性的二氧化硅拋光液，加入適當比例的氧化劑，調(diào)節(jié)精拋液PH值為9-13，拋光壓力為80-140kg，拋光墊為絨毛類結構的拋光墊。
　　2.如權利要求1所述的碳化硅晶片雙面拋光方法，其特征在于，所述二氧化硅拋光液包括二氧化硅膠體懸浮劑與離子水，所述二氧化硅膠體懸浮劑與所述離子水按1:5-1:15體積混合。
　　3.如權利要求1所述的碳化硅晶片雙面拋光方法，其特征在于，所述氧化劑占所述二氧化硅拋光液重量的10-20%。