申請(qǐng)?zhí)枺?01180066336

　　申請(qǐng)人：六號(hào)元素有限公司

　　摘要：本發(fā)明涉及一種單晶CVD合成金剛石層，包括非平行的位錯(cuò)陣列，其中當(dāng)在X射線形貌斷面圖中觀察或在發(fā)光條件下觀察時(shí)，非平行的位錯(cuò)陣列包含形成一組相互交叉的位錯(cuò)的多個(gè)位錯(cuò)。

　　獨(dú)立權(quán)力要求：1.一種單晶CVD合成金剛石層，所述單晶CVD合成金剛石層包括非平行的位錯(cuò)陣列，其中，當(dāng)在X射線形貌斷面圖中觀察或在發(fā)光條件下觀察時(shí)，非平行的位錯(cuò)陣列包含形成一組相互交叉的位錯(cuò)的多個(gè)位錯(cuò)。

　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶CVD合成金剛石層，其中，單晶CVD合成金剛石的該層厚度等于或大于1μm、10μm、50μm、100μm、500μm、1mm、2mm、或3mm。

　　3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單晶CVD合成金剛石層，所述單晶CVD合成金剛石層還包括范圍在10cm-2到1×108cm-2之間、1×102cm-2到1×108cm-2之間、或1×104cm-2到1×107cm-2之間的位錯(cuò)密度。

　　4.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石層，所述單晶CVD合成金剛石層還包括等于或小于5×10-4、5×10-5、1×10-5、5×10-6、或1×10-6的雙折射率。

　　5.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石層，其中，單晶CVD合成金剛石層是{110}或{113}取向的層。

　　6.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石層，其中，非平行的位錯(cuò)陣列在相當(dāng)大體積的所述單晶CVD合成金剛石層上延伸，所述相當(dāng)大體積構(gòu)成單晶CVD合成金剛石層的總體積的至少30%、40%、50%、60%、70%、80%、或90%。

　　7.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石層，其中，非平行的位錯(cuò)陣列包括沿第一方向行進(jìn)穿過(guò)單晶CVD合成金剛石層的第一組位錯(cuò)、以及沿第二方向行進(jìn)穿過(guò)單晶CVD合成金剛石層的第二組位錯(cuò)，其中，當(dāng)在X射線形貌斷面圖中觀察或在發(fā)光條件下觀察時(shí)，第一方向和第二方向之間的夾角在40°到100°的范圍內(nèi)、50°到100°的范圍內(nèi)、或60°到90°的范圍內(nèi)。

　　8.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石層，其中，根據(jù)在位錯(cuò)的相當(dāng)長(zhǎng)長(zhǎng)度上的平均方向測(cè)量位錯(cuò)行進(jìn)的方向，其中，所述相當(dāng)長(zhǎng)長(zhǎng)度是位錯(cuò)的總長(zhǎng)度的至少30%、40%、50%、60%、70%、80%、或90%，和/或至少50μm、100μm、250μm、500μm、1000μm、1500μm、或2000μm。

　　9.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石層，其中，當(dāng)在X射線形貌斷面圖中觀察或在發(fā)光條件下觀察時(shí)，在單晶CVD合成金剛石層的相當(dāng)大體積內(nèi)的可見(jiàn)位錯(cuò)的總數(shù)量的至少30%、40%、50%、60%、70%、80%、或90%形成了非平行的位錯(cuò)陣列，所述相當(dāng)大體積構(gòu)成單晶CVD合成金剛石層的總體積的至少30%、40%、50%、60%、70%、80%、或90%。

　　10.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石層，其中，非平行的位錯(cuò)陣列在X射線形貌斷面圖中可見(jiàn)、但在發(fā)光條件下不可見(jiàn)，或者替換地，非平行的位錯(cuò)陣列在發(fā)光條件下可見(jiàn)、但在X射線形貌斷面圖中不可見(jiàn)。

　　11.根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶CVD合成金剛石材料層，所述單晶CVD合成金剛石材料層包括至少100GPa或至少120GPa的
硬度。

　　12.一種單晶CVD合成金剛石物體，所述單晶CVD合成金剛石物體包括根據(jù)前面任一權(quán)利要求所述的單晶金剛石層，其中，單晶金剛石層構(gòu)成單晶CVD合成金剛石物體的總體積的至少30%、40%、50%、60%、70%、80%、或90%。

　　13.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單晶CVD合成金剛石物體在光學(xué)的、機(jī)械的、發(fā)光的，和/或電子的設(shè)備或應(yīng)用上的用途。

　　14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單晶CVD合成金剛石物體，其中，單晶CVD合成金剛石物體被切割成寶石構(gòu)型。

　　15.一種形成單晶CVD合成金剛石層的方法，所述方法包括：提供具有生長(zhǎng)面的單晶金剛石基底，所述生長(zhǎng)面具有通過(guò)暴露性等離子蝕刻所暴露的等于或小于5×103個(gè)缺陷/mm2的缺陷密度；以及在生長(zhǎng)面上生長(zhǎng)按權(quán)利要求1-12任一所述的單晶CVD合成金剛石層。

　　16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，單晶金剛石基底的生長(zhǎng)面具有{110}或{113}的晶向。

　　17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的方法，其中，單晶CVD合成金剛石的該層的生長(zhǎng)速率被控制到充分低，從而形成非平行的位錯(cuò)陣列。

　　18.根據(jù)權(quán)利要求15-17任一所述的方法，其中，非平行的位錯(cuò)陣列包括以相對(duì)于單晶CVD合成金剛石的該層的生長(zhǎng)方向成至少20° 的銳角行進(jìn)的相當(dāng)多數(shù)量的位錯(cuò)，所述相當(dāng)多數(shù)量是在X射線形貌斷面圖中或在發(fā)光條件下可見(jiàn)的位錯(cuò)的總數(shù)量的至少30%、40%、50%、60%、70%、80%、或90%。

　　19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述相當(dāng)多數(shù)量的位錯(cuò)以相對(duì)于單晶CVD合成金剛石的該層的生長(zhǎng)方向成20°到60°范圍內(nèi)、20°到50°范圍內(nèi)或30°到50°范圍內(nèi)的銳角行進(jìn)。