摘要 名稱一種制備碳化硅/碳,碳化硼/碳功能梯度材料的方法公開號1364745公開日2002.08.21主分類號C04B3
名稱 | 一種制備碳化硅/碳,碳化硼/碳功能梯度材料的方法 | ||
公開號 | 1364745 | 公開日 | 2002.08.21 |
主分類號 | C04B35/56 | 分類號 | C04B35/56;C04B35/64 |
申請號 | 01100449.5 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 2001.01.12 | |
頒證日 | 優先權 | ||
申請人 | 北京科技大學 | 地址 | 100083北京市海淀學院路30號 |
發明人 | 葛昌純;曹文斌;沈衛平;李江濤;武安華 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 北京科大華誼專利代理事務所 | 代理人 | 劉月娥 |
摘要 | 本發明涉及一種通過成分分布設計和熱壓燒結方法制備SiC/C和B#-[4]C/C功能梯度材料的方法。特征在于:向低原子序數陶瓷-碳塊體梯度材料原料中加入燒結助劑,對于SiC/C FGM,采用活性碳粉和B粉作SiC的燒結助劑,SiC的燒結助劑B+C含量應在1-10wt%(重量百分比),碳材料添加劑B的含量應在 1-10wt%。B#-[4]C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用線性成分分布設計,B#-[4]C/C FGM采用S型成分分布設計。在氬氣氣氛中,壓力為15-50MPa、溫度為1900℃-2200℃,保溫1-3小時。優點在于:具有優良的耐高溫等離子體沖刷,抗熱沖擊和耐化學濺射性能。 |