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一種納米碳化硅材料的制備方法

關鍵詞納米碳化硅材料 , 制備方法 |2010-12-23 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱一種納米碳化硅材料的制備方法公開號1327944公開日2001.12.26主分類號C01B31/36

名稱	一種納米碳化硅材料的制備方法
公開號	1327944	公開日	2001.12.26
主分類號	C01B31/36	分類號	C01B31/36
申請號	01127650.9
分案原申請號		申請日	2001.07.25
頒證日		優先權
申請人	中山大學	地址	510275廣東省廣州市新港西路135號
發明人	許寧生;吳志盛;鄧少芝;周軍	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	廣州市專利事務所	代理人	華輝
摘要	本發明涉及一種納米碳化硅材料的制備方法。本方法以商用納米量級、微米量級或塊狀等不同形狀和大小的SiC原料為原材料，加上催化劑，預先抽真空，然后通入惰性氣體作為保護氣氛，最后加熱至1300～2000℃并保溫一段時間，制備得到的具有碳化硅納米棒或納米線的納米材料，有助于相關碳化硅光電器件，特別是納米光電器件和場發射陰極電子源的研制。本方法工藝簡單，原材料成本低，產率高。

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