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官方微信摘要 名稱通過注入摻雜制成的碳化硅半導體的熱修復法公開號1272957公開日2000.11.08主分類號H01L21/26
| 名稱 | 通過注入摻雜制成的碳化硅半導體的熱修復法 | ||
| 公開號 | 1272957 | 公開日 | 2000.11.08 |
| 主分類號 | H01L21/265 | 分類號 | H01L21/265;H01L21/324;C30B35/00 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98809723.0 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.09.14 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1997.9.30[33]DE[31]19743127.5 | |
| 申請人 | 因芬尼昂技術股份公司 | 地址 | 德國慕尼黑 |
| 發(fā)明人 | K·赫爾茲萊恩; R·魯普; A·維登霍菲 | 國際申請 | PCT.DE98/02722 1998.9.14 |
| 國際公布 | WO99.17345 德 1999.4.8 | 進入國家日期 | 2000.03.30 |
| 專利代理機構 | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 張志醒 |
| 摘要 | 至少將一個經(jīng)過注入摻雜的碳化硅半導體在氣流中進行熱修復的方法，其特征在于：將該至少一個磁化硅半導體（１０i）置入幾乎不含碳的氣流（１２）中。并且將該至少一個碳化硅半導體（１０i）用一個托盤（１６）放在容器（１３）中；放置碳化硅半導體（１０i ）用的托盤（１６）和容器（１３）至少與氣流（１２）發(fā)生接觸的部分至少是用一種金屬或者至少是用一種金屬化合物制成的。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號