日本住友電氣工業株式會社（SEI）和大阪公立大學（OMU）在與日本科學技術振興機構（JST）的聯合研究項目中，在2英寸多晶金剛石（PCD）襯底上制造了氮化鎵高電子遷移率...
美國斯坦福大學和加州大學圣巴巴拉分校（UCSB）宣稱首次在射頻（RF）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEM...
在追求更高功率密度和更優性能的電子器件領域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不...
在半導體技術的前沿領域，金剛石/GaN異質外延技術正受到廣泛關注。異質外延技術通常需要在外延表面沉積緩沖層，包括金剛石異質外延GaN技術和GaN底面異質外延金剛石技術。...
目前，金剛石與GaN功率器件的集成通常從兩方面進行，一是GaN頂部的器件層散熱，主要應用金剛石鈍化散熱技術，金剛石鈍化散熱是直接在器件頂部沉積金剛石，提高熱點頂部的熱擴...
透明硬脆材料由于其出色的機械強度、熱穩定性、抗腐蝕性以及優良的光電性能，已被廣泛應用于半導體和電子器件制造領域。然而，傳統的切片工藝，如金剛線切割，存在效率低、材料浪費...
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發有效的散熱方法。金剛石具有極高的導熱率，有望作為半導體元件的散熱...
材料往往因特定優勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率（2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優越性能，...
在“SEMICONJapan2022”（2022年12月14日至16日，東京國際展示場）上，首次舉辦了“學術獎”，以表彰有前途的大學/研究生院半導體研究。最高獎頒發給大...
近日，黑龍江省政府印發《黑龍江省人民政府關于第一屆黑龍江省專利獎授獎的決定》(黑政發〔2022〕24號)，授予“...
材料往往因特定優勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率（2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優越性能，...
據麥姆斯咨詢報道，三菱電機（MitsubishiElectric）宣布與美國國家先進工業科學與技術研究所（AIS...
2006年，美國Cree公司的Wu等人研制的GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT），4GHz時的輸出功率密度達到41.4W/mm。近十多年來，氮化鎵（GaN）的研究熱潮...
12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議（SISC2017）上，日本富士通公司及其子公司富士通實驗室公司（FujitsuLaboratoriesLt...
申請號：201611084413.8申請人：陜西科技大學發明人：王進軍摘要：本發明公開了一種金剛石熱沉襯底GaN...
2月7日，中國超硬材料網總經理石超一行走進鄭州沃德超硬材料有...
10月28日，中國超硬材料網總經理石超、顧問呂華偉、南陽富櫳...
中國超硬材料網將通過一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業華麗蝶變，在回顧和盤點中，溫故知新！
2023年9月20日，時隔四年，期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展，加強國內外企業的交流與合作。
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