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中國石油化工申請一種 CVD 金剛石自支撐膜及其制備方法專利,實現系統長時間穩定沉積

金融界2025年3月27日消息,國家知識產權局信息顯示,中國石油化工股份有限公司申請一項名為“一種CVD金剛石自支撐膜及其制備方法”的專利,公開號CN119685788...

日期 2025-03-28   

西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

金剛石作為一種“終極半導體材料”,在力、熱、聲、光、電等方面都具有十分優異的性能,如超寬禁帶、高載流子遷移率、超高熱導率、高擊穿電場等,在高溫、高效、超高頻、超大功率半...

日期 2024-12-02   
一種利用掩膜法制備帶自支撐框架的金剛石真空窗口的方法

一種利用掩膜法制備帶自支撐框架的金剛石真空窗口的方法

申請號:201610803733.8申請人:武漢工程大學發明人:馬志斌任昱霖摘要:本發明涉及金剛石自支撐窗口領域...

日期 2017-03-16   
自支撐超細金剛石單晶顆粒的制備方法

自支撐超細金剛石單晶顆粒的制備方法

申請號:201610362517.4申請人:無錫特固新材料有限公司發明人:張韜薛喆孫方宏摘要:本發明提供了一種自...

日期 2016-11-08   
一種高品質自支撐金剛石厚膜的制備方法

一種高品質自支撐金剛石厚膜的制備方法

申請號:201610069254.8申請人:太原理工大學發明人:于盛旺王榮高潔黑鴻君張阿莉劉小萍賀志勇摘要:本發...

日期 2016-04-27   

一種多孔金剛石或多孔立方碳化硅自支撐膜的制備方法

申請號:201310205716.0申請人:中國科學院金屬研究所摘要:本發明公開了一種多孔金剛石或多孔立方碳化硅自支撐膜的制備方法,包括:提供基體材料,并對基體材料表面...

日期 2014-12-13   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

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